| 1 |
1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 적층체에 Si 전구체를 인가하는 단계; 및 300℃ 내지 400℃ 범위의 온도 및 10 Torr 내지 60 Torr 범위의 압력에서 나노 와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 나노 와이어 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계 이후에,기판 상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 와이어 제조 방법
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 기판은 반도체 물질 또는 금속 물질인 나노 와이어 제조 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 금속 물질은 철(Fe), 코발트(Co), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 이트륨(Y), 금(Au), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 나노 와이어 제조 방법
|
| 5 |
5
제3 항에 있어서,상기 반도체 물질은 실리콘을 포함하는 나노 와이어 제조 방법
|
| 6 |
6
제2 항에 있어서,상기 보호막은 산화물 또는 질화물인 나노 와이어 제조 방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 보호막은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘인 나노 와이어 제조 방법
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서, 상기 금속층의 금속은 철(Fe), 코발트(Co), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 이트륨(Y), 금(Au), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 나노 와이어 제조 방법
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 Si 전구체는 Si 함유 반응 물질과 운반 물질을 포함하는 나노 와이어 제조 방법
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 Si 함유 반응 물질은 실란(silane) 또는 실란 유도체인 나노 와이어 제조 방법
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 Si 함유 반응 물질은 SiH4, SiCl4 및 TDMAS로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 나노 와이어 제조 방법
|
| 12 |
12
제9 항에 있어서,상기 운반 물질은 수소(H2) 기체 또는 질소(N2) 기체인 나노 와이어 제조 방법
|
| 13 |
13
제1 항에 있어서,상기 나노 와이어를 성장시키는 단계는 350℃ 내지 400℃ 범위의 온도 및 40 Torr 내지 60 Torr 범위의 압력 범위에서 이루어지는 나노 와이어 제조 방법
|
| 14 |
14
제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 금속층은 상기 기판 또는 상기 보호막 상에 패터닝되어 형성되는 나노 와이어 제조 방법
|
| 15 |
15
제1 항에 있어서,상기 금속층 형성 이후 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 나노 와이어 제조 방법
|
