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고알루미나질 반토혈암을 이용한 온돌용 뮬라이트질 세라믹 패널

  • 기술번호 : KST2015212664
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 온돌용 세라믹 패널 소지 조성물 및 이를 이용한 온돌용 세라믹 패널 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 저가이면서 동시에 고강도, 원적외선 고 방사율을 갖는 온돌 판넬을 제조하기 위하여, 유휴자원인 고알루미나질 반토혈암 중에서 10 wt% 이상의 높은 철분 함량을 갖는 원료를 이용하여 온돌용 세라믹 패널을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, Al2O3 함량이 30∼40 wt%, SiO2 함량이 40∼50 wt%, Fe2O3 함량이 10∼16 wt% 인 고알루미나질 반토혈암을 원광을, 원료:물:구석의 비 1 : 1.5 : 1 의 비율로하여 6시간 이상 충분히 분쇄한 후 325 mesh 표준체를 전통시킨 후 50℃에서 건조하여 제조하는 것을 특징으로 하는 온돌용 세라믹 패널 조성물이 제공된다. 또한, 본 발명은 상기 조성물을 프레스 성형 및 압출 성형하여 1100℃에서 1300℃ 범위에서 소성하여, 흡수율 3 % 이하의 고강도, 원적외선 고방사율을 발현 할 수 있는 온돌용 뮬라이트질 세라믹 패널의 제조방법을 제공한다. 반토혈암, 온돌판넬, 원적외선 고방사율, 세라믹 패널
Int. CL C04B 35/185 (2006.01)
CPC C04B 35/185(2013.01) C04B 35/185(2013.01) C04B 35/185(2013.01)
출원번호/일자 1020030093497 (2003.12.19)
출원인 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원)
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0062667 (2005.06.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.19)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국산업기술평가원(관리부서:요업기술원) 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오유근 대한민국 경기도 시흥시
2 문지웅 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2003-0484961-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0045080-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0577067-36
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0034376-38
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
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번호 청구항
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Al2O3 함량이 30 ~ 40 wt%, SiO2 함량이 40 ~ 50 wt% Fe2O3 함량이 10 ~ 16 wt% 인 고 알루미나질 반토혈암을 원료로 하는 온돌용 세라믹 패널 조성물
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제 1항의 조성물을 1100℃ ~ 1300℃ 온도범위에서 소성하여 흡수율 3 % 이하 꺽임강도 500 ㎏f/㎠ 이상, 40℃ 에서의 원적외선 방사율 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.