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금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015214427
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로미터(㎛)에서 나노미터(㎚) 크기의 금속, 합금 및 금속 화합물 등을 이용하여 탄소나노튜브를 기판 위에서 함께 혼합하거나 탄소나노튜브 박막 기판 위에 표면 도포하고 용융시켜서 탄소나노튜브와의 화합물을 만든 후, 열 및 플라즈마 후처리 등을 통하여 전자방출원을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탄소나노튜브 전자방출원은 탄소나노튜브와 기판과의 접착성 향상과 함께 튜브 외벽을 금속으로 에워싸고 있을 수도 있어서 팁의 수명 연장뿐만 아니라, 전계방출의 최적화를 위한 전처리 및 후처리 등의 조건을 확장시킬 수 있으며, 또한 금속, 합금 및 금속 화합물의 혼합 공정에 의한 줄(wire), 바(bar) 및 평면(plate) 등의 여러 가지 형태를 가진 탄소나노튜브 전자방출원으로 이용할 수 있다. 탄소나노튜브, 전자방출원, 금속 화합물, 열처리, 후처리
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020040049080 (2004.06.28)
출원인 학교법인 성균관대학
등록번호/일자 10-0634856-0000 (2006.10.10)
공개번호/일자 10-2006-0000144 (2006.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20061016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 성균관대학 대한민국 서울 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종윤 대한민국 경기도 군포시 산
2 박성렬 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김현숙 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0282605-89
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2004.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-5098763-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0002108-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0052696-55
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0211856-58
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0296093-43
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0377877-54
9 의견서
Written Opinion
2006.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0460343-11
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0460346-58
11 등록결정서
Decision to grant
2006.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0565522-18
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번호 청구항
1 1
플라즈마 CVD 또는 RTCVD 방법에 의해 금속 기판 위에 탄소나노튜브 박막을 형성하는 공정;상기 탄소나노튜브 박막에 마이크로미터(㎛)에서 나노미터(㎚) 크기의 금속 분말을 도포하는 공정;상기 탄소나노튜브 박막에 도포된 금속 분말을 암모니아 기체, 수소 기체 및 불활성 기체 분위기에서 고온 열처리하거나 플라즈마 후처리하여 용융시키는 공정; 및상기 금속 분말의 용융물을 매개로 상기 금속 기판과 탄소나노튜브가 접착되어 상기 탄소나노튜브 박막에 탄소 전자 방출층을 형성하는 공정을포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 탄소 전자 방출층을 탄소나노튜브 박막 대신에, 탄소나노튜브를 금속 기판 위에 금속, 합금 및 금속 화합물 등의 분말과 혼합하여 줄(wire), 바(bar) 및 평판(plate) 등의 여러 가지 형태로 만드는 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 탄소 전자 방출층을 탄소나노튜브 박막 대신에, 금속, 반도체 웨이퍼(wafer), 쿼츠(quartz) 및 세라믹(ceramic) 등의 기판 위에 탄소나노튜브를 혼합하여 만드는 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 탄소 전자 방출층을 탄소나노튜브 박막 대신에, AAO(anodic aluminum oxide), 제올라이트(zeolite) 및 실리카 등의 다공질 기판 위에 탄소나노튜브를 혼합하여 만드는 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 금속 분말은 Ag 또는 Au인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 금속 분말은 Cu-Ag 또는 Cu-Ti의 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
7 7
제 1항, 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 금속 분말의 용융점은 300 ~ 1,100℃인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 금속 분말은 약 300 ~ 1,100℃의 용융점을 가지는 금속, 합금 및 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
9 8
제 7항에 있어서, 상기 금속 분말은 약 300 ~ 1,100℃의 용융점을 가지는 금속, 합금 및 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.