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플라즈마 CVD 또는 RTCVD 방법에 의해 금속 기판 위에 탄소나노튜브 박막을 형성하는 공정;상기 탄소나노튜브 박막에 마이크로미터(㎛)에서 나노미터(㎚) 크기의 금속 분말을 도포하는 공정;상기 탄소나노튜브 박막에 도포된 금속 분말을 암모니아 기체, 수소 기체 및 불활성 기체 분위기에서 고온 열처리하거나 플라즈마 후처리하여 용융시키는 공정; 및상기 금속 분말의 용융물을 매개로 상기 금속 기판과 탄소나노튜브가 접착되어 상기 탄소나노튜브 박막에 탄소 전자 방출층을 형성하는 공정을포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탄소 전자 방출층을 탄소나노튜브 박막 대신에, 탄소나노튜브를 금속 기판 위에 금속, 합금 및 금속 화합물 등의 분말과 혼합하여 줄(wire), 바(bar) 및 평판(plate) 등의 여러 가지 형태로 만드는 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탄소 전자 방출층을 탄소나노튜브 박막 대신에, 금속, 반도체 웨이퍼(wafer), 쿼츠(quartz) 및 세라믹(ceramic) 등의 기판 위에 탄소나노튜브를 혼합하여 만드는 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탄소 전자 방출층을 탄소나노튜브 박막 대신에, AAO(anodic aluminum oxide), 제올라이트(zeolite) 및 실리카 등의 다공질 기판 위에 탄소나노튜브를 혼합하여 만드는 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 분말은 Ag 또는 Au인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 분말은 Cu-Ag 또는 Cu-Ti의 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 1항, 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 금속 분말의 용융점은 300 ~ 1,100℃인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 금속 분말은 약 300 ~ 1,100℃의 용융점을 가지는 금속, 합금 및 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 금속 분말은 약 300 ~ 1,100℃의 용융점을 가지는 금속, 합금 및 금속 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법
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