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1
기판;상기 기판의 적어도 일면에 형성된 TCO층; 및상기 TCO층 상에 형성되고, Ag를 주성분으로 하고, 0
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2
제1 항에 있어서, 상기 Pd 및 Cu의 함량의 총합은 3wt% 이하인 터치 패널 필름
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3
제1 항에 있어서, 상기 APC층의 두께는 50 내지 300nm인 터치 패널 필름
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4
제1 항에 있어서, 상기 TCO층과 APC층 사이에 점착층 및/또는 상기 TCO층과 상기 기판 사이에 상기 TCO층의 반사율과 상기 TCO층이 패터닝되어 제거된 영역의 반사율의 차이가 1
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5
제4 항에 있어서, 상기 점착층은 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 또는 몰리브덴(Mo)으로 형성된 터치 패널 필름
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6
제4 항에 있어서, 상기 광학층은 유무기 하이브리드 산화물층인 터치 패널 필름
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7
제6 항에 있어서, 상기 유무기 하이브리드 산화물층은 Si, Nb 및 Zr으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 무기물을 포함하는 터치 패널 필름
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8
제7 항에 있어서, 상기 유무기 하이브리드 산화물층은 SiOC층, 메틸실세스퀴옥산층, 또는 메틸실세스퀴옥산-디메틸실록산층인 터치 패널 필름
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9
제4 항에 있어서, 상기 광학층의 두께는 1 내지 5㎛인 터치 패널 필름
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10
기판을 제공하고,상기 기판의 적어도 일면에 TCO층을 형성하고, 상기 TCO층 상에 형성되고, Ag를 주성분으로 하고, 0
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11
제10 항에 있어서, 상기 Pd 및 Cu의 함량의 총합은 3wt% 이하인 터치 패널 필름의 제조 방법
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12
제10 항에 있어서, 상기 APC층의 두께는 50 내지 300nm로 형성하는 터치 패널 필름의 제조 방법
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13
제10 항에 있어서, 상기 APC층을 형성하기 전에 상기 TCO층 상에 점착층을 형성하는 것을 더 포함하는 터치 패널 필름의 제조 방법
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14
제13 항에 있어서, 상기 점착층은 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 또는 몰리브덴(Mo)으로 형성하는 터치 패널 필름의 제조 방법
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15
제10 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 TCO층을 형성하기 전에 상기 기판 상에 상기 TCO층의 반사율과 상기 TCO층이 패터닝되어 제거된 영역의 반사율의 차이가 1
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16
제15 항에 있어서, 상기 광학층은 유무기 하이브리드 산화물층인 터치 패널 필름의 제조 방법
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17
제16 항에 있어서, 상기 유무기 하이브리드 산화물층은 Si, Nb 및 Zr으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 무기물을 포함하는 터치 패널 필름의 제조 방법
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18
제17 항에 있어서, 상기 유무기 하이브리드 산화물층은 SiOC층, 메틸실세스퀴옥산층, 또는 메틸실세스퀴옥산-디메틸실록산층인 터치 패널 필름의 제조 방법
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19
제15 항에 있어서, 상기 광학층의 두께는 1 내지 5㎛로 형성하는 터치 패널 필름의 제조 방법
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20
제10 항에 있어서, 상기 TCO층을 형성하는 것은 비정질 TCO층을 형성하고, 상기 비정질 TCO층을 120 ~ 170℃의 조건에서 30 ~ 120분 동안 열처리하여 결정질 TCO층으로 전환하는 것을 포함하는 터치 패널 필름의 제조방법
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21
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 터치 패널 필름을 포함하는 정전용량방식의 터치 패널
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