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기판, 게이트 전극, 절연층, 소스 및 드레인 전극, 및 유기 활성층으로 구성된 유기 박막 트랜지스터(OTFT)로서, 상기 게이트 전극의 표면에 이온막이 형성되어 있어서, 게이트 전극의 일함수가 변화된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 이온막은 게이트 전극의 표면에 산성 용액을 처리하여 형성된 양이온막인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 산성 용액은 인산(phosphoric acid), 황산(sulfuric acid) 및 아세톤(acetone)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 이온막은 게이트 전극의 표면에 염기성 용액을 처리하여 형성된 음이온막인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 4 항에 있어서, 상기 염기성 용액은 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드(tetrabutyl ammonium hydroxide), 수산화 나트륨(sodium hydroxide) 및 수산화 칼륨(potassium hydroxide)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 이온막은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 이온막은 진공 내에서 반응성 가스에 의해 생성된 플라즈마로 게이트 전극의 표면을 처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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8
제 7 항에 있어서, 상기 반응성 가스는 수소, 산소, 불소계 가스 또는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 7 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리한 이온막은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 인듐-주석 산화물(indium-tin oxide; ITO), 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W), 도핑된 규소, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 백금, 탄탈 및 티탄으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 10 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 ITO인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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기판, 게이트 전극, 절연층, 소스 및 드레인 전극, 및 유기 활성층으로 구성된 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 일함수가 변화된 게이트 전극을 제조하기 위해, 산성 용액, 염기성 용액 또는 플라즈마로 게이트 전극을 표면 처리하여 이온막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 산성 용액 또는 염기성 용액을 중탕하여 담금법에 의해 게이트 전극을 표면 처리하여 이온막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 산성 용액 또는 염기성 용액으로 처리 후 세정 또는 건조 공정을 추가로 거쳐 이온막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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