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투명재질의 기재상에 방사주파수-마그네트론(RF-magnetron) 스퍼터링을 이용하여 형성된 1차원 나노기둥 형태를 갖는 집전체 물질과, 상기 집전체 물질상에 순환전착법에 의해 5 내지 30 나노미터 두께로 형성되는 캐패시터 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 투명전극
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제1항에 있어서, 상기 집전체 물질이 AZO(Al-doped Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide)계로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 투명전극
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제1항에 있어서, 상기 캐패시터 물질이 RuO2, MnO2, Co3O4, V2O5, Mn3O4, NiO, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole) 및 폴리싸이오펜(polythiophene)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 투명전극
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ⅰ)투명재질의 기재상에 방사주파수-마그네트론(RF-magnetron) 스퍼터링을 이용하여 1차원 나노기둥형태의 집전체 물질을 형성하는 단계 및; ⅱ)상기 집전체 물질상에 순환전착법을 이용하여 5 내지 30 나노미터 두께로 캐패시터 물질을 코팅하는 단계를 포함한 수퍼캐패시터용 투명전극 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 집전체 물질은 AZO(Al-doped Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 계로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 투명전극 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 캐패시터 물질은 RuO2, MnO2, Co3O4, V2O5, Mn3O4, NiO, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole) 및 폴리싸이오펜(polythiophene)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 투명전극 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 순환전착법은 캐패시터 물질인 금속산화물이나 전도성 고분자의 전구체를 용매에 녹인 후 상기 캐패시터 물질이 산화-환원 과정을 반복할 수 있는 전압범위 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 투명전극 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 방사주파수-마그네트론(RF-magnetron) 스퍼터링이 10-2 Torr 이하의 압력과 20W 이상의 방사주파수-마그네트론 출력, 300도 이상의 기판온도 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수퍼캐패시터용 투명전극 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 투명전극을 포함한 수퍼캐패시터
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