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3차원 구조로 적층된 벌크 상태의 무기칼코게나이드로부터 판상형 무기칼코게나이드를 얻는 것으로서, 상기 판상형 무기칼코게나이드 표면에 상기 판상형 무기칼코게나이드를 부분적으로 산화시켜 무기산화물을 형성하는 것이고, 상기 무기 산화물이 형성되는 판상형 무기칼코게나이드 표면 부분은 판상형 무기칼코게나이드의 가장 자리 내측 (in-plane)의 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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3차원 구조로 적층된 벌크 상태의 무기칼코게나이드로부터 판상형 무기칼코게나이드를 얻는 것으로서, 3차원 구조로 적층된 벌크 상태의 무기칼코게나이드를 산화제와 혼합하는 것이고, 상기 산화제는 3차원 구조로 적층된 벌크 상태의 무기칼코게나이드의 층 간에 침투하는 것이고, 또한 무기칼코게나이드를 부분적으로 산화하여 판상형 무기칼코게나이드 표면에 무기산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제조 방법은, 3차원 구조로 적층된 벌크 상태의 무기칼코게나이드를 산화제를 포함하는 산화 용액에 혼합하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제조 방법은, 3차원 구조로 적층된 벌크 상태의 무기칼코게나이드를 산화제가 포함된 산화 용액에 혼합하고 무기칼코게나이드 가장자리부터 산화하여 무기산화물을 형성하고 또한 적층된 무기칼코게나이드 층간을 넓히도록 하는 제 1 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 제조 방법은, 제 1 단계 후 넓어진 층간 사이를 산화 용액이 침투하여 적층된 무기칼코게나이드의 층간을 더 확대시키면서 적어도 하나 이상의 층의 무기칼코게나이드 표면을 부분적으로 산화시켜 무기물 산화물을 더 형성시키는 제 2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제조 방법은, 제 2 단계 후 외부 힘을 가하여 층간이 넓어진 무기칼코게나이드를 박리하는 제 3 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 6 항에 있어서,제 3 단계에서도 무기칼코게나이드 표면이 부분적으로 산화되어 무기물 산화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 단계에서는 열 처리, 플라즈마 처리, 이온빔 처리, 방사선 처리, 자외선 처리 또는 마이크로 웨이브 처리 중 하나 이상을 수행하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 1 항에 있어서,무기칼코게나이드는 금속과 칼코겐 원소로 구성되는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mo, Fe, W의 전이금속; 및 Ga, Ge, In의 전이 후 금속;으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 칼코겐 원소는 O, S, Se, Te, Po로 이루어지는 그룹에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 산화제는 H2O2, (NH4)2S2O8, NaBrO3, H2SO4, HNO3, HClO4, H2CrO4 로 이루어지는 그룹에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기 산화물은 입자 형 무기 산화물인 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질 제조 방법
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판상형 무기칼코게이나이드; 및 상기 판상형 무기칼코게나이드 표면에 해당 무기칼코게나이드로부터 산화되어 생성된 무기산화물이 형성된 것이고,상기 무기 산화물이 형성되는 판상형 무기칼코게나이드 표면 부분은 판상형 무기칼코게나이드의 가장 자리 내측 (in-plane)의 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질
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제 14 항에 있어서,상기 판상형 무기칼코게나이드의 두께는 300nm 이하인 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질
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제 14 항에 있어서,상기 판상형 무기칼코게나이드의 가로와 세로의 길이는 각각 1 nm 내지 1 m인 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물 입자 복합 물질
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17
제 14 항에 있어서,상기 무기 산화물은 입자 형, 선형 및 시트 형으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 하나 이상의 형태인 것을 특징으로 하는 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질
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제 17 항에 있어서,상기 무기산화물은 입자 형태를 포함하고, 해당 입자 크기가 0
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제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질이 적층된 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 무기칼코게나이드 및 무기산화물 복합 물질
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제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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제 20 항에 있어서,투명 전극; 및상기 투명 전극 상에 존재하는 상기 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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제 21 항에 있어서,상기 전자 소자는 유기 태양 전지이고, 상기 투명 전극은 ITO 이고, 상기 투명 전극 상의 정공 수송층에 상기 판상형 무기칼코게나이드 및 무기산화물의 복합 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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