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투명기판과, 상기 투명기판 내측에 FTO(Fluorine doped tin oxide)가 증착된 광전극층과, 상기 FTO 내측에 형성된 산화물 반도체층과, 하부기판상에 형성된 상대전극과, 상기 상대전극과 광전극층 사이에 충전된 전해질을 포함하는 염료감응형 태양전지에 있어서,상기 FTO 상에 산화물 반도체층이 형성되되, 상기 산화물 반도체층은 나노 섬유와, 상기 나노섬유 표면상에 나노막대가 형성된 혼성구조를 이루는 것을 특징으로 하는 고효율 염료감응형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층은, 산소 상압 플라즈마 처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 염료감응형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층의 나노섬유는, ABO3형 페로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 고효율 염료감응형 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 산화물 반도체층의 나노막대는, ABO3형 페로브스카이트 산화물(BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3), ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 고효율 염료감응형 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 산화물 반도체층의 나노섬유의 직경이 100 nm 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 고효율 염료감응형 태양전지
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제 1항에 있어서상기 산화물 반도체층의 나노막대의 직경이 10 nm 내지 100 nm이고, 길이가 5 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 고효율 염료감응형 태양전지
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