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부성 저항을 이용한 자기 저항 메모리 장치(MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY USING NEGATIVE RESISTANCE)

  • 기술번호 : KST2015230937
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 읽기 동작시 MTJ의 임의 상태 전환을 방지할 수 있는 자기 저항 메모리 장치가 개시된다. 상기 자기 저항 메모리 장치는 액세스 트랜지스터 및 MTJ를 가지는 메모리 셀, 감지 노드를 기준으로 하여 상기 메모리 셀에 병렬로 연결된 부성 저항 및 상기 메모리 셀에 연결되며, 기준 전압을 생성하는 기준 셀부를 포함한다. 여기서, 읽기 동작시 상기 감지 노드의 초기 전압은 상기 기준 셀부의 기준 전압으로 설정된다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/1697(2013.01) G11C 11/1697(2013.01) G11C 11/1697(2013.01) G11C 11/1697(2013.01)
출원번호/일자 1020140073058 (2014.06.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1630042-0000 (2016.06.07)
공개번호/일자 10-2015-0144208 (2015.12.24) 문서열기
공고번호/일자 (20160613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상규 대한민국 서울특별시 송파구
2 신광섭 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0560670-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089616-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0748642-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1280817-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1280804-25
8 등록결정서
Decision to grant
2016.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0392187-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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MTJ를 가지는 메모리 셀;상기 메모리 셀에 연결된 감지 노드; 상기 MTJ에 연결된 저항 엘리먼트; 및상기 메모리 셀에 연결되며, 기준 전압을 생성하는 기준 셀부를 포함하되,상기 MTJ와 상기 저항 엘리먼트에 따른 저항은 상기 MTJ의 상태에 따라 다르며, 읽기 동작시 상기 감지 노드의 초기 전압으로 상기 기준 전압이 설정되고, 상기 감지 노드와 상기 기준 셀부 사이의 연결은 스위치에 의해 스위칭되며, 상기 스위치가 턴-온됨에 따라 상기 감지 노드의 초기 전압으로 상기 기준 전압이 설정되며, 상기 기준 전압이 상기 감지 노드의 초기 전압으로 설정된 후에는 상기 스위치가 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
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제7항에 있어서, 상기 저항 엘리먼트는 부성 저항으로서 상기 감지 노드를 기준으로 하여 상기 메모리 셀에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
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제7항에 있어서, 상기 기준 셀부도 부성 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
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제7항에 있어서, 상기 MTJ의 상태가 반평형 상태일 때 상기 저항 엘리먼트와상기 MTJ의 저항에 따른 저항은 음의 값을 가지며, 상기 MTJ의 상태가 평형 상태일 때 상기 저항 엘리먼트와 상기 MTJ의 상태에 따른 저항은 양의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
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제7항에 있어서, 상기 저항 엘리먼트는 미러 구조의 제 1 트랜지스터들 및 상기 제 1 트랜지스터들 중 하나에 연결된 제 2 트랜지스터에 의해 실현되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.