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플라즈마 처리장치

  • 기술번호 : KST2016000030
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 처리장치가 개시된다. 처리되도록 하부전극에 탑재된 기판으로부터 일정 거리 이격되어 설치되며, 격자 구조의 프레임과 상기 프레임 격자 사이에 설치되는 메시로 이루어진 그리드를 구비하며, 상기 그리드에는 직류 바이어스가 인가된다.플라즈마, 그리드, 쉬스 영역, 이온 트랩, 균일도
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32449(2013.01)
출원번호/일자 1020060121339 (2006.12.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0803338-0000 (2008.02.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울특별시 노원구
2 김석훈 대한민국 인천시 부평구
3 우상현 대한민국 서울 강남구
4 김형철 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)
2 정현영 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, ****호-** (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소)
3 임평섭 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로 ***-*, *층(당산동*가, 정우빌딩)(임특허법률사무소)
4 홍승규 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 넥서스비 전라북도 전주시 완산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0897308-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058652-38
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0608324-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 처리장치에 있어서,처리되도록 하부전극에 탑재된 기판으로부터 일정 거리 이격되어 설치되며, 격자 구조의 프레임과 상기 프레임 격자 사이에 설치되는 메시로 이루어진 그리드를 구비하며,상기 그리드에는 직류 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
2 2
청구항 1에 있어서,상기 프레임은 관(tube) 형상으로 그 저면에 다수의 소스 분출공이 균일하게 분포 형성되고, 적어도 둘 이상의 소스 주입관이 연통되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서,상기 소스 분출공은 상기 프레임의 격자 교차점에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
4 4
청구항 1 또는 2에 있어서,상기 메시의 사이즈는 상기 플라즈마가 상기 그리드 하부로 내려오지 않도록 쉬스 영역이 안정화되는 크기인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.