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종이, 합성섬유, 천연섬유 또는 이들의 혼합물을 포함하는 기판 상에 고분자막을 형성하는 단계;상기 고분자막 상에 박막을 형성하는 단계; 및상기 기판을 연소시켜 상기 기판 및 상기 고분자막을 제거하는 단계를 포함하는 나노시트(nanosheet) 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막은 알루미늄 산화물(AlXOY), 하프늄 산화물(HfOX), 티타늄 산화물(TiOX), 지르코늄 산화물(ZrOX), 아연 산화물(ZnOX)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판을 연소시키는 단계는 상기 박막이 아래를 향하도록 배치된 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 기판을 연소시키는 단계는 50℃/min 내지 200℃/min 사이의 승온 속도로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 박막은 1㎚ 내지 100㎚ 사이의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판을 연소시키는 단계는 상기 박막이 위를 향하도록 배치된 상태에서 수행되어 상기 박막이 복수의 기공을 포함하게 되는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 기판을 연소시키는 단계는 200℃/min 내지 300℃/min 사이의 승온 속도로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 박막은 10㎚ 내지 100㎚ 사이의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막을 형성하는 단계는 상온 내지 50℃ 사이의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막은 화학 기상 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD) 공정을 통해서 형성되는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막은 티타늄 산화물을 포함하고,상기 박막을 형성하는 공정은 사염화티타늄(TiCl4)을 전구체로 사용하며 물 또는 과산화수소수를 반응가스로 사용하는 원자층 증착 공정을 통해서 형성되는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막은 아연 산화물을 포함하고,상기 박막을 형성하는 공정은 DEZn(Zn(C2H5)2)을 전구체로 사용하며, 물 또는 과산화수소수를 반응가스로 사용하는 원자층 증착 공정을 통해서 형성되는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판을 연소시키는 단계는 대기 또는 산소 분위기 하에서 400℃ 내지 1000℃ 사이의 온도에서 상기 기판을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노시트 제조 방법
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종이, 합성섬유, 천연섬유 또는 이들의 혼합물을 포함하는 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 및상기 기판을 연소시켜 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체(nanostructure) 제조 방법
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