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임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법

  • 기술번호 : KST2016004032
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography)를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 수지층을 코팅하는 제1 단계, 패턴이 형성된 스탬프로 수지층을 임프린트(imprint)하는 제2 단계, 및 수지층을 경화시키는 제3 단계, 수지층을 식각 장벽으로 하여 기판을 식각시키는 제4 단계, 및 상기 패턴이 형성된 기판 상에 수지층을 다시 코팅하는 제5 단계를 포함한다. 그리고, 본 발명은 기판에서 패턴이 전사될 위치를 달리하여 제2 단계 내지 제4 단계를 순차적으로 수행한다. 이와 같은 제조단계에 의해 본 발명은 임프린트 리소그래피를 이용하면서도 대면적 스탬프를 종래기술에 비해 보다 정교하면서도 상대적으로 저비용으로 제조할 수 있다.임프린트, 식각, 경화, 스탬프, 반복, 수지층, 대면적
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020070091017 (2007.09.07)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0884811-0000 (2009.02.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.07)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기돈 대한민국 서울 중구
2 정준호 대한민국 대전 유성구
3 최대근 대한민국 대전 유성구
4 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
5 이응숙 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0651917-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0052567-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0458441-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0758814-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0758813-04
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0064865-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 수지층을 코팅하는 제1 단계;패턴이 형성된 스탬프로 상기 수지층을 임프린트(imprint)하는 제2 단계; 상기 수지층을 경화시키는 제3 단계; 상기 수지층을 식각 장벽으로 하여 상기 기판을 식각함으로써 미세 구조 패턴이 형성되는 제4 단계; 및상기 미세 구조 패턴이 형성된 기판 상에 상기 수지층을 다시 코팅하는 제5 단계;를 포함하고,상기 기판에서 상기 패턴이 전사될 위치를 달리하여 상기 제2 단계 내지 제4 단계를 순차적으로 다시 수행하는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 단계는 상기 기판 상에 상기 수지층을 스핀(spin) 코팅하여 형성시키는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제3 단계는 상기 수지층을 열경화성 수지로 사용하고, 상기 수지층을 열경화시키는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제3 단계는 상기 수지층을 광경화성 수지로 사용하고, UV(ultra violet)광을 조사하여 경화시키는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제4 단계는 상기 기판을 건식 식각시키는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제4 단계는 상기 기판을 습식 식각시키는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제4 단계과 상기 제5 단계 사이에서 상기 수지층을 용해시키는 단계;를 더 포함하는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제5 단계는 상기 미세 구조 패턴이 형성된 영역을 포함한 기판 전면에 상기 수지층을 코팅하는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기판의 설정된 면적이 상기 패턴 형상으로 채워지는 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서,상기 스탬프는 극자외선(EUV) 조사 장비 또는 전자빔(E-Beam) 조사 장비 중 어느 하나에 의해 상기 패턴이 형성된 스탬프인 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 스탬프는 복수 개로 구비되며, 설정된 간격만큼 상호 이격된 상태인 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국기계연구원 21세기 프론티어 사업 대면적 나노임프린트 공정 및 응용 기술