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금속유기 복합물(metallorganic complex)을 포함하는 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 레이저를 조사하여 도전성 패턴부를 형성하고, 동시에 상기 금속유기 복합물의 적어도 하나의 금속 원자를 수소 원자 또는 탄소 원자와 치환시키는 단계; 및상기 도전성 패턴부를 무전해 도금하는 단계;를 포함하는 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 레이저가 조사되는 상기 기판 상에 수소 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 회로 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 레이저를 조사하는 때에는, 상기 기판 상에서 상기 수소 가스의 흐름을 중단시키는, 회로 형성 방법
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제3항에 있어서,상기 수소 가스의 흐름은 체크 밸브를 통하여 제어하는, 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 레이저가 조사되는 상기 기판의 일면에 도포층을 포함하고,상기 도포층은 수소를 포함하는, 회로 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 도포층은 탄소를 더 포함하는, 회로 형성 방법
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제5항에 있어서,상기 도포층은 파라핀(paraffin)을 포함하는, 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 기판의 내부에 수소 또는 탄소를 포함하는, 회로 형성 방법
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제8항에 있어서,상기 기판은 MgO, SiO, SiO2, H2Mg3(SiO3)4 및 Mg3Si4O10(OH)2 중 어느 하나를 포함하는, 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 레이저는 상기 기판의 모재(母材)에 흡수되지 않고, 상기 금속유기복합물에는 흡수되는 파장을 갖는, 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속유기 복합물은 CuCr2O4, (CuFe)(CrFe)2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCo3, Al2O3, AlN 및 레이저 빔에 의한 상기 금속유기복합물의 광분해 결과 만들어진 금속 산화물 중 어느 하나를 포함하는, 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 금속유기 복합물은 탄소를 포함하는 비도전성 미세 입자를 포함하는, 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 비도전성 미세 입자는 카본 블랙(carbon black)인, 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 도전성 패턴부를 무전해 도금한 이후에, 상기 도전성 패턴부를 전해 도금하는 단계를 더 포함하는 회로 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 상기 레이저를 조사하기 이전에 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 회로 형성 방법
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기판; 및상기 기판 상에 형성된 회로를 포함하고,상기 기판 상에서 상기 회로와 접촉하는 부분은 적어도 하나의 금속 원자가 수소 원자 또는 탄소원자로 치환된 금속유기 복합물을 포함하는, 회로 기판
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