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고전압용 소자의 필드 옥사이드 제조방법(THE MANUFACTURING METHOD OF FIELD OXIDE FOR APPLICATION TO HIGH VOLTAGE DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016005438
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 상기한 목적은, 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계, 상기 얼라인 키를 통해 도판트를 도핑 및 활성화하는 단계, 상기 기판 상부에 필드 옥사이드를 형성하는 단계, 상기 필드 옥사이드를 에칭하는 단계, 상기 필드 옥사이드의 에칭 영역에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계를 통해 제조되는 고전압용 소자의 필드 옥사이드 제조방법에 있어서, 상기 필드 옥사이드는, 실리콘 나노입자 및 실리콘 다이옥사이드 전구체를 용매와 혼합하여 실리콘 다이옥사이드 용액을 제조하는 단계와; 상기 실리콘 다이옥사이드 용액을 기판에 코팅하는 단계와; 상기 기판을 가열하는 단계를 거쳐 형성되는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 저온공정을 통해 필드 옥사이드를 기판에 코팅하여 고온 및 기체로부터 작업자의 안전이 보장되며, 기판의 변형 및 특성저하를 방지하는 효과를 제공한다.
Int. CL H01L 21/56 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01)
출원번호/일자 1020140088575 (2014.07.14)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1591647-0000 (2016.01.29)
공개번호/일자 10-2016-0008408 (2016.01.22) 문서열기
공고번호/일자 (20160205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
3 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0660637-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0055146-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0476878-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0875079-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0875074-67
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0841617-65
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1287706-67
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1287725-24
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0052538-06
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계, 상기 얼라인 키를 통해 도판트를 도핑 및 활성화하는 단계, 상기 기판 상부에 필드 옥사이드를 형성하는 단계, 상기 필드 옥사이드를 에칭하는 단계, 상기 필드 옥사이드의 에칭 영역에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계를 통해 제조되는 고전압용 소자의 필드 옥사이드 제조방법에 있어서,상기 필드 옥사이드는,실리콘 나노입자 및 실리콘 다이옥사이드 전구체를 용매와 혼합하여 실리콘 다이옥사이드 용액을 제조하는 단계와;상기 실리콘 다이옥사이드 용액을 기판에 코팅하는 단계와;상기 기판을 가열하는 단계를 거쳐 형성되며,상기 실리콘 다이옥사이드 용액을 제조하는 단계 이후에,상기 실리콘 다이옥사이드 용액을 0 내지 10℃에서 보관하는 단계를 더 포함하며,상기 전구체의 1 중량부에 대해 상기 용매는 0
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삭제
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 실리콘 다이옥사이드 전구체는 알킬기(-R) 및 알콕시기(-OR) 중 적어도 어느 하나를 갖는 실란(silane)이며,상기 실리콘 다이옥사이드 전구체는 다이메틸메톡시실란(Dimethyl methoxysilane), 다이페닐메톡시실란(Diphenyl methoxysilane), 메틸트리메톡시실란(Methyl trimethoxysilane), 페닐트리메톡시실란(phenyl trimethoxysilane), 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-Glycidoxypropyl trimethoxysilane), 메틸 3-글리시독시프로필디메톡시실란(Methyl 3-glycidoxylpropry dimethoxysilane) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고전압용 소자의 필드 옥사이드 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 용매는 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 프로판올(Propanol), 아이소프로판올(Isopropanol) 및 부탄올(Butanol) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고전압용 소자의 필드 옥사이드 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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