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음이온 교환 전구체(An Anion Exchange Precursor)

  • 기술번호 : KST2016005725
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시에서는, 금속 칼코게나이드 화합물에 기초하는 신규한 음이온 교환 전구체를 사용하는 음이온 교환 방법을 제공한다. 본 개시의 일 측면에 따른 음이온 교환 방법의 일 구현예는, Na2Xn의 화학식으로 표시되는 음이온 교환 전구체로서, X 원소는 Se, S 및 Te로부터 선택되는 적어도 1종이며, n은 약 2 내지 약 10의 정수인 음이온 교환 전구체를 나노입자와 반응매질 중에서 반응시켜, 상기 나노입자의 음이온성 원소를 상기 음이온 교환 전구체의 X 원소로 교환하는 단계를 포함한다.
Int. CL B01J 41/10 (2017.01.01) B01J 41/02 (2006.01.01) C01D 5/00 (2006.01.01) C01D 13/00 (2006.01.01) C01B 17/22 (2006.01.01) C01B 19/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140091312 (2014.07.18)
출원인 삼성전자주식회사, 아주대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0010215 (2016.01.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조경상 대한민국 경기도 과천시 양
2 김상욱 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 최동혁 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0678932-71
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0683401-40
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0667097-47
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.11.30 접수중 (On receiving) 1-1-2020-1294970-20
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1294969-84
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Na2Xn의 화학식으로 표시되는 음이온 교환 전구체로서, X 원소는 Se, S 및 Te로부터 선택되는 적어도 1종이며, n은 약 2 내지 약 10의 정수인 음이온 교환 전구체를 나노입자와 반응매질 중에서 반응시켜, 상기 나노입자의 음이온성 원소를 상기 음이온 교환 전구체의 X 원소로 교환하는 단계를 포함하는 음이온 교환 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 음이온 교환 반응이 상기 나노입자의 표면에서 발생하거나, 또는, 상기 나노입자의 표면 및 내부에서 발생하는 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 n은 2 내지 5의 정수인 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 나노입자는 양자점, 금속 나노결정(metal nanocrystal: NC), 자성 나노결정(magnetic NC), 산화물 나노결정(oxide NC), 나노와이어, 또는 나노플레이트인 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 나노입자는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb; SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe; Si, Ge, SiC, SiGe 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노입자의 사용량은, 상기 음이온 교환 전구체 100 중량부를 기준으로 하여, 100 중량부 내지 10,000,000 중량부인 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 반응매질은 적어도 1종의 극성 용매인 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 극성 용매는 물, 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸술폭사이드(DMSO), 에탄올아민, 포름아미드, 하이드라진 수화물, 아세토니트릴, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 반응매질의 사용량은, 상기 음이온 교환 전구체 100 중량부를 기준으로 하여, 10,000 중량부 내지 10,000,000,000 중량부인 것을 특징으로 하는 음이온 교환 방법
10 10
Na2Xn의 화학식으로 표시되는 음이온 교환 전구체로서, X 원소는 Se, S 및 Te로부터 선택되는 적어도 1종이며, n은 약 2 내지 약 10의 정수인 음이온 교환 전구체를 제1 나노입자와 반응매질 중에서 반응시켜, 상기 제1 나노입자의 음이온성 원소를 상기 음이온 교환 전구체의 X 원소로 교환함으로써, 제2 나노입자를 생성하는 단계를 포함하는 나노입자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09764320 US 미국 FAMILY
2 US20160016160 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016016160 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9764320 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.