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블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층의 제조방법과 후면전극의 전반사막 제조방법 및 이를 포함하여 구성되는 박막 태양전지(Manufacturing methods of patterned stress relaxation layer and reflecting layer by block copolymer template deposited on flexible substrate and solar cell using the same)
- 기술번호 : KST2016005820
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층의 제조방법과 후면전극의 전반사막 제조방법 및 이를 포함하여 구성되는 박막 태양전지에 관한 것으로, 나노 사이즈 패터닝이 구조적으로 연성 기판의 응력을 완화하고, 광경로를 더욱 길게 연장하여 전체적인 광전효율을 크게 향상시키는 효과가 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/046 (2014.01) |
| CPC | H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) H01L 31/03926(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020140083032 (2014.07.03) |
| 출원인 | 한국에너지기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1591721-0000 (2016.01.29) |
| 공개번호/일자 | 10-2016-0004572 (2016.01.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20160204) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.07.03) |
| 심사청구항수 | 39 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박주형 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 조준식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 어영주 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 윤재호 | 대한민국 | 대전 중구 |
| 5 | 윤경훈 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 신기식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 7 | 곽지혜 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 8 | 안세진 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 9 | 안승규 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 10 | 유진수 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 11 | 조아라 | 대한민국 | 서울 관악구 |
| 12 | 김기환 | 대한민국 | 대전 서구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한상수 | 대한민국 | 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0628265-19 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2015.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0019684-17 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.08.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0575561-89 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.10.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0997405-15 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0997404-69 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2016.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0052730-66 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법에 있어서,a-ⅰ) 연성 기판을 준비하는 단계;a-ⅱ) 상기 연성 기판 위에 단일 층 혹은 복수의 층으로 구성된 응력완화층을 증착시키는 단계;a-ⅲ) 상기 응력완화층 표면 위에 블록 코폴리머(Block Copolymer)층을 도포하는 단계;a-ⅳ) 상기 도포된 블록 코폴리머층을 열처리하여 나노구조가 자발적으로 형성되는 단계;a-ⅴ) 상기 나노구조가 자발형성된 블록 코폴리머층의 일부를 제거하여 나노패턴을 형성하는 단계;a-ⅵ) 식각 공정을 통해 상기 블록 코폴리머 나노패턴을 상기 응력완화층에 전이시키는 단계;a-ⅶ) 잔여 블록 코폴리머를 제거하는 단계;를 포함하고,a-ⅰ) 단계의 상기 연성 기판은 Ni-Fe계 연성기판이며,a-ⅱ)의 상기 응력완화층은 Ni-Fe계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 2 |
2 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법에 있어서,b-ⅰ) 연성 기판을 준비하는 단계;b-ⅱ) 상기 연성 기판 표면 위에 블록 코폴리머(Block Copolymer)층을 도포하는 단계;b-ⅲ) 상기 도포된 블록 코폴리머층을 열처리하여 나노구조가 자발적으로 형성되는 단계;b-ⅳ) 상기 나노구조가 자발형성된 블록 코폴리머층의 일부를 제거하여 나노패턴을 형성하는 단계;b-ⅴ) 상기 블록 코폴리머 패턴이 남은 연성 기판 위에 단일 층 혹은 복수의 층으로 구성된 응력완화층을 증착시키는 단계;b-ⅵ) 잔여 블록 코폴리머를 제거하는 단계;를 포함하고,b-ⅰ) 단계의 상기 연성 기판은 Ni-Fe계 연성기판이며,b-ⅴ) 단계의 상기 응력완화층은 Ni-Fe계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅲ) 또는 b-ⅱ) 단계의 상기 블록 코폴리머는 PS-b-PMMA(polystyrene-b-polymethyl methacrylate)이거나 또는 PS-b-PMMA를 포함하는 폴리머인 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅳ) 또는 b-ⅲ) 단계의 상기 나노구조 자발형성을 위한 열처리 방법은 상기 도포된 블록 코폴리머층을 100-250℃에서 3-48시간 동안 진공상태에서 어닐링하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 6 |
6 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅴ) 또는 b-ⅳ) 단계의 블록 코폴리머층의 일부를 제거하여 나노패턴을 형성하는 방법은 상기 열처리된 블록 코폴리머층 위에 200-300nm, 0 |
| 7 |
7 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅴ) 또는 b-ⅳ) 단계의 나노패턴은 상기 블록 코폴리머층의 도메인을 제거하고 매트릭스를 남김으로써 음각 블록 코폴리머 템플레이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 8 |
8 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅴ) 또는 b-ⅳ) 단계의 나노패턴은 상기 블록 코폴리머층의 매트릭스를 제거하고 도메인을 남김으로써 양각 블록 코폴리머 템플레이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅱ) 또는 b-ⅴ) 단계의 응력완화층은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법, 화학기상증착법, 원자층 증착법, 분자선증착법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 11 |
11 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅱ) 또는 b-ⅴ) 단계의 상기 응력완화층의 두께는 10nm-1000nm 범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 12 |
12 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅶ) 또는 b-ⅵ) 단계의 잔여 블록 코폴리머는 음각 블록 코폴리머 템플레이트로 사용된 매트릭스이거나, 또는 양각 블록 코폴리머 템플레이트로 사용된 도메인인 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 13 |
13 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅰ)와 a-ⅱ) 단계 사이, 또는 b-ⅰ)와 b-ⅱ) 단계 사이에,상기 준비된 연성기판의 표면을 클리닝하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 14 |
14 제 1항에 있어서,a-ⅱ)와 a-ⅲ) 단계 사이에, 상기 증착된 응력완화층 표면을 클리닝하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 15 |
15 제 1항 또는 제 2항에 있어서,a-ⅱ)와 a-ⅲ) 단계 사이, 또는 b-ⅰ)와 b-ⅱ)단계 사이에,폴리머 브러쉬(polymer brush)를 코팅하고 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서,상기 폴리머 브러쉬는 PS-r-PMMA(polystyrene-r-polymethyl methacrylate)이거나 PS-r-PMMA를 포함하는 폴리머인 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층 제조방법 |
| 17 |
17 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법에 있어서,c-ⅰ) 연성 기판을 준비하는 단계;c-ⅱ) 연성 기판 위에 후면전극층을 증착시키는 단계;c-ⅲ) 상기 후면전극층 위에 단일 층 혹은 복수의 층으로 구성된 전반사막을 증착시키는 단계;c-ⅳ) 상기 전반사막 표면 위에 블록 코폴리머(Block Copolymer)층을 도포하는 단계;c-ⅴ) 상기 도포된 블록 코폴리머층을 열처리하여 나노구조가 자발적으로 형성되는 단계;c-ⅵ) 상기 나노구조가 자발형성된 블록 코폴리머층의 일부를 제거하여 나노패턴을 형성하는 단계;c-ⅶ) 식각 공정을 통해 상기 블록 코폴리머 나노패턴을 상기 전반사막에 전이시키는 단계;c-ⅷ) 잔여 블록 코폴리머를 제거하는 단계;를 포함하고,c-ⅰ) 단계의 상기 연성 기판은 Ni-Fe계 연성기판이며,c-ⅲ) 단계의 상기 전반사막은 실리콘 질화물, ZrN, 갈륨질화물, 알루미늄 질화물, ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), ZnO, 무정형(amorphous) In-Ga-Zn-O, Zr, In2O3, 백금, 금, 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 18 |
18 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법에 있어서,d-ⅰ) 연성 기판을 준비하는 단계;d-ⅱ) 연성 기판 위에 후면전극층을 증착시키는 단계;d-ⅲ) 상기 후면전극층 표면 위에 블록 코폴리머(Block Copolymer)층을 도포하는 단계;d-ⅳ) 상기 도포된 블록 코폴리머층을 열처리하여 나노구조가 자발적으로 형성되는 단계;d-ⅴ) 상기 나노구조가 자발형성된 블록 코폴리머층의 일부를 제거하여 나노패턴을 형성하는 단계;d-ⅵ) 상기 블록 코폴리머 패턴이 남은 후면전극층 위에 단일 층 혹은 복수의 층으로 구성된 전반사막을 증착시키는 단계;d-ⅶ) 잔여 블록 코폴리머를 제거하는 단계;를 포함하고,d-ⅰ) 단계의 상기 연성 기판은 Ni-Fe계 연성기판이며,d-ⅵ) 단계의 상기 전반사막은 실리콘 질화물, ZrN, 갈륨질화물, 알루미늄 질화물, ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), ZnO, 무정형(amorphous) In-Ga-Zn-O, Zr, In2O3, 백금, 금, 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅳ) 또는 d-ⅲ) 단계의 상기 블록 코폴리머는 PS-b-PMMA(polystyrene-b-polymethyl methacrylate)이거나 또는 PS-b-PMMA를 포함하는 폴리머인 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 21 |
21 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅴ) 또는 d-ⅳ) 단계의 상기 나노구조 자발형성을 위한 열처리 방법은 상기 도포된 블록 코폴리머층을 100-250℃에서 3-48시간 동안 진공상태에서 어닐링하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 22 |
22 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅵ) 또는 d-ⅴ) 단계의 블록 코폴리머층의 일부를 제거하여 나노패턴을 형성하는 방법은 상기 열처리된 블록 코폴리머층 위에 200-300nm, 0 |
| 23 |
23 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅵ) 또는 d-ⅴ) 단계의 나노패턴은 상기 블록 코폴리머층의 도메인을 제거하고 매트릭스를 남김으로써 음각 블록 코폴리머 템플레이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 24 |
24 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅵ) 또는 d-ⅴ) 단계의 나노패턴은 상기 블록 코폴리머층의 매트릭스를 제거하고 도메인을 남김으로써 양각 블록 코폴리머 템플레이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 25 |
25 삭제 |
| 26 |
26 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅲ) 또는 d-ⅵ) 단계의 상기 전반사막은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법, 화학기상증착법, 원자층 증착법, 분자선증착법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 27 |
27 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅲ) 또는 d-ⅵ) 단계의 상기 전반사막의 두께는 10-500nm인 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 28 |
28 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅷ) 또는 d-ⅶ) 단계의 잔여 블록 코폴리머는 음각 블록 코폴리머 템플레이트로 사용된 매트릭스이거나, 또는 양각 블록 코폴리머 템플레이트로 사용된 도메인인 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 29 |
29 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅰ)와 c-ⅱ) 단계 사이, 또는 d-ⅰ)와 d-ⅱ) 단계 사이에, 상기 준비된 연성기판의 표면을 클리닝하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 30 |
30 제 17항에 있어서,c-ⅲ)와 c-ⅳ)단계 사이에,상기 증착된 전반사막 표면을 클리닝하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 31 |
31 제 18항에 있어서,d-ⅱ)와 d-ⅲ)단계 사이에,상기 증착된 후면전극층 표면을 클리닝하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 32 |
32 제 17항 또는 제 18항에 있어서,c-ⅲ)와 c-ⅳ) 단계 사이, 또는 d-ⅱ)와 d-ⅲ) 단계 사이에,폴리머 브러쉬(polymer brush)를 코팅하고 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 33 |
33 제 32항에 있어서,상기 폴리머 브러쉬는 PS-r-PMMA(polystyrene-r-polymethyl methacrylate)이거나 또는 PS-r-PMMA를 포함하는 폴리머인 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 후면전극의 전반사막 제조방법 |
| 34 |
34 연성 기판;상기 연성 기판 상면에 증착되는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 응력완화층;상기 응력완화층 상면에 증착되는 후면전극층;상기 후면전극층 상면에 증착되는 광흡수층;상기 광흡수층 상면에 증착되는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상면에 증착되는 투명전극층;을 포함하여 구성되는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 응력완화층을 포함하는 박막 태양전지에 있어서,상기 응력완화층은 제 1항 또는 제 2항의 방법으로 제조되고,상기 연성 기판은 Ni-Fe계 연성기판이며,상기 응력완화층은 Ni-Fe계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 응력완화층을 포함하는 박막 태양전지 |
| 35 |
35 삭제 |
| 36 |
36 삭제 |
| 37 |
37 제 34항에 있어서,상기 후면전극층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 응력완화층을 포함하는 박막 태양전지 |
| 38 |
38 제 34항에 있어서,상기 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 응력완화층을 포함하는 박막 태양전지 |
| 39 |
39 제 34항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS, CdZnS, ZnS, Zn(S,O), Zn(OH,S), ZnS(O,OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn(Se,OH), ZnSnO, ZnO, InSe, InOH, In(OH,S), In(OOH,S), In(S,O) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 응력완화층을 포함하는 박막 태양전지 |
| 40 |
40 제 34항에 있어서,상기 투명전극층은 AZO(Al doped Zinc Oxide), BZO(B doped Zinc Oxide), GZO(Ga doped Zinc Oxide), ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), In2O3, FTO(F doped Tin Oxide), 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화철, 이산화주석 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 응력완화층을 포함하는 박막 태양전지 |
| 41 |
41 연성 기판;상기 연성 기판 상면에 증착되는 후면전극층;상기 후면전극층 상면에 증착되는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 전반사막;상기 전반사막 상면에 증착되는 광흡수층;상기 광흡수층 상면에 증착되는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상면에 증착되는 투명전극층;을 포함하여 구성되는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 전반사막을 포함하는 박막 태양전지에 있어서,상기 전반사막은 제 17항 또는 제 18항의 방법으로 제조되고,상기 연성 기판은 Ni-Fe계 연성기판이며,상기 전반사막은 실리콘 질화물, ZrN, 갈륨질화물, 알루미늄 질화물, ITO(In2O3:Sn)(Indium Tin Oxide), ZnO, 무정형(amorphous) In-Ga-Zn-O, Zr, In2O3, 백금, 금, 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 전반사막을 포함하는 박막 태양전지 |
| 42 |
42 삭제 |
| 43 |
43 제 41항에 있어서,상기 후면전극층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 전반사막을 포함하는 박막 태양전지 |
| 44 |
44 제 41항에 있어서,상기 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 전반사막을 포함하는 박막 태양전지 |
| 45 |
45 제 41항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS, CdZnS, ZnS, Zn(S,O), Zn(OH,S), ZnS(O,OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn(Se,OH), ZnSnO, ZnO, InSe, InOH, In(OH,S), In(OOH,S), In(S,O) 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 전반사막을 포함하는 박막 태양전지 |
| 46 |
46 제 41항에 있어서,상기 투명전극층은 AZO(Al doped Zinc Oxide), BZO(B doped Zinc Oxide), GZO(Ga doped Zinc Oxide), ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), In2O3, FTO(F doped Tin Oxide), 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화철, 이산화주석 중에서 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 전반사막을 포함하는 박막 태양전지 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 한국에너지기술연구원 | 한국에너지기술원 주요사업 | 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술개발 |
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| 특허 등록번호 | 10-1591721-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20140703 출원 번호 : 1020140083032 공고 연월일 : 20160204 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160121 청구범위의 항수 : 39 유별 : H01L 31/046 발명의 명칭 : 블록 코폴리머 나노패턴이 형성된 박막 태양전지 연성 기판의 응력완화층의 제조방법과 후면전극의 전반사막 제조방법 및 이를 포함하여 구성되는 박막 태양전지 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 783,000 원 | 2016년 02월 01일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 449,000 원 | 2018년 12월 11일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 449,000 원 | 2019년 12월 10일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2014.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0628265-19 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2015.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0019684-17 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2015.08.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0575561-89 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.10.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0997405-15 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0997404-69 |
| 8 | 등록결정서 | 2016.01.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0052730-66 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1711020186 |
|---|---|
| 세부과제번호 | B4-2421 |
| 연구과제명 | 차세대 태양전지 기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2014 |
| 연구기간 | 201401~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1711020513 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E24820 |
| 연구과제명 | 플렉서블 박막 태양전지 원천기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2014 |
| 연구기간 | 201201~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
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