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기판 식각 방법 및 장치, 기판 식각용 스탬프 및 이의 제조 방법(APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING SUBSTRATE, STAMP FOR ETCHING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016006117
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 식각 방법 및 장치, 그리고 기판 식각용 스탬프 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 식각 방법은 금속 촉매가 형성된 패턴을 구비한 스탬프를 기판상에 접촉시키고, 금속 촉매와 식각 용액 간의 화학적 반응에 의하여 기판을 식각하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020140091222 (2014.07.18)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0010825 (2016.01.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오정우 대한민국 인천광역시 연수구
2 기부근 대한민국 인천광역시 연수구
3 송윤원 대한민국 인천광역시 연수구
4 최거락 대한민국 인천광역시 연수구
5 김경호 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0678399-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0002931-03
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0060422-60
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0265139-97
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0602762-36
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0602763-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0817879-02
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0081787-80
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0081797-36
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0385007-95
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.06.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0630714-91
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0630698-47
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0523022-74
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번호 청구항
1 1
금속 촉매와 식각 용액 간의 화학적 반응에 의하여 하나 이상의 기판을 순차적으로 식각하는 방법으로,금속 촉매가 형성된 패턴을 구비한 스탬프를 기판 상에 접촉시키는 단계;상기 기판의 식각 진행 정도에 따라 상기 기판과 상기 스탬프 간의 거리를 감소시켜, 식각 과정에서 상기 기판에 상기 스탬프가 접촉된 상태로 유지되어, 상기 기판과 상기 스탬프에 형성된 금속 촉매 사이에서 화학적 반응이 계속 일어나도록 조절하면서 상기 기판을 식각하는 단계;상기 기판에 소정의 깊이만큼 식각이 완료되면, 기판으로부터 멀어지도록 스탬프를 이동시키는 단계; 및식각할 다른 기판이 더 존재하는 경우, 상기 기판을 다른 기판으로 교체하여 상기 스탬프를 교체된 기판 상에 접촉시켜 식각을 수행하는 단계를 포함하며,상기 스탬프는 상기 식각 용액에 식각되지 않는 물질로 이루어지는 기판 식각 방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 기판에 대하여 상기 스탬프에 압력을 가한 상태로 상기 기판을 식각하는 기판 식각 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 금속 촉매는 금, 은, 백금 및 팔라듐 중의 적어도 하나를 포함하는 기판 식각 방법
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘이나 게르마늄으로 이루어지는 단원계 반도체이거나 GaAs, AlGaAs 또는 InAlGaAs 다원계 반도체인 기판 식각 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09911615 US 미국 FAMILY
2 US20160020112 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016020112 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9911615 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 연세대학교 일반연구자지원(교육부) 무결함 3차원 화학식각 기술을 이용한 고효율 III-V 에너지 획득 소자 제작