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멤리스터 소자로서:서로 간격을 가지고 배열된 하나 이상의 제1 금속 나노구조체 라인;상기 제1 금속 나노구조체 라인과 교차하는 방향으로 서로 간격을 가지고 배열된 하나 이상의 제2 금속 나노구조체 라인; 및상기 제1 금속 나노구조체 라인과 상기 제2 금속 나노구조체 라인의 사이에 배치되는 산화물층;을 포함하는, 멤리스터 소자
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2
청구항 1에 있어서,상기 산화물층은 적어도 상기 제1 금속 나노구조체 라인과 상기 제2 금속 나노구조체 라인이 교차하는 부위에 배치되어, 금속-산화물-금속 구조의 캐패시터가 형성되는 것인, 멤리스터 소자
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3
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속 나노구조체 라인 또는 상기 제2 금속 나노구조체 라인은 5㎚ 내지 100㎛의 선폭을 가지는 것인, 멤리스터 소자
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4
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속 나노구조체 라인들 간의 간격과 상기 제2 금속 나노구조체 라인들 간의 간격은 10㎚ 이상인 것인, 멤리스터 소자
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5
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속 나노구조체 라인 또는 상기 제2 금속 나노구조체 라인은 직선, 곡선, 지그재그선, 곡선 부위를 하나 이상 포함하는 선, 또는 절곡 부위를 하나 이상 포함하는 선 형태인 것인, 멤리스터 소자
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6
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속 나노구조체 라인과 상기 제2 금속 나노구조체 라인의 사이 각도는 0도 보다 크고, 180도 보다 작은 것인, 멤리스터 소자
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7
청구항 1 내지 6 중 어느 하나에 있어서,상기 제1 금속 나노구조체 라인 또는 상기 제2 금속 나노구조체 라인은 프린팅을 포함하는 과정을 통해 형성되는 것인, 멤리스터 소자
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8
멤리스터 소자를 제조하는 방법으로서:고분자와 금속 전구체 혼합용액을 이용한 프린팅을 통해 기판 상에 서로 간격을 가지고 배열된 제1 고분자/전구체 나노구조체 라인을 하나 이상 형성하는 단계;고분자와 금속 전구체 혼합용액을 이용한 프린팅을 통해 상기 기판 상에 상기 제1 고분자/전구체 나노구조체 라인과 교차하는 방향으로 서로 간격을 가지고 배열된 제2 고분자/전구체 나노구조체 라인을 하나 이상 형성하는 단계; 및상기 제1 및 제2 고분자/전구체 나노구조체 라인을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 열처리에 의해 고분자가 제거되어 교차하는 제1 금속 나노구조체 라인과 제2 금속 나노구조체 라인이 형성되고, 상기 제1 금속 나노구조체 라인과 상기 제2 금속 나노구조체 라인 사이에는 산화물층이 형성되는 것인, 멤리스터 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 산화물층은 상기 제1 금속 나노구조체 라인과 상기 제2 금속 나노구조체 라인의 교차 부위에 배치되어, 금속-산화물-금속 구조를 형성하는 것인, 멤리스터 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 프린팅 공정은 전기장 보조 로보틱 나노와이어 프린팅, 잉크젯 프린팅, 임프린팅, EHD 프린팅, 롤프린팅 및 스탬프 프린팅으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 프린팅 방법을 이용하는 것인, 멤리스터 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서상기 전구체는 Cu, Al, Mg, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Ga, Zr, Mo, Ag, Sn, Pb, W 및 Hf 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함 하는 것인, 멤리스터 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 열처리는 40℃ 내지 800℃의 온도 범위에서 1분 내지 5 시간 동안, 1 회 내지 5회 열처리 하는 것인, 멤리스터 소자 제조 방법
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