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하기 화학식 1로 표시되는 층상 나노시트 구조의 수화(hydrated) 망간계 복합 산화물을 포함하는 마그네슘 전지용 전극 활물질:[화학식 1]MxMn1-y(MI)yO2·zH2O상기 식에서,0003c#x≤1이고 0≤y≤1이고 0003c# z≤1이며,M은 Mg2+, Ca2+, Na+, K+, 및 Zn2+로부터 선택된 적어도 1종 이상의 금속이며,MI은 전이금속이다
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제1항에 있어서, 상기 수화 망간계 복합 산화물이 하기 화학식 2로 표시되는 마그네슘 전지용 전극 활물질:[화학식 2]MguMn1-v(MII)v O2·wH2O상기 식에서,0 003c# u ≤1이고 0≤v≤1이고 0 003c#w≤1이며,MII는 Co, Ni, Fe, 및 Cu로부터 선택된 적어도 1종 이상의 전이금속이다
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제1항에 있어서, 상기 수화(hydrated) 망간계 복합 산화물이 마그네슘-버넷사이트형 화합물(Birnessite-type compound)인 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 수화(hydrated) 망간계 복합 산화물이 단사정계 결정구조, 삼사정계 결정구조, 육방정계 결정구조, 또는 이들의 조합을 포함하는 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 수화 망간계 복합 산화물이 1nm 내지 50nm 두께의 층상 나노시트 구조인 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 수화 망간계 복합 산화물의 층 간격이 5Å 내지 20Å인 층상 나노시트 구조인 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 수화 망간계 복합 산화물의 층간에 결정수를 포함하는 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제7항에 있어서, 상기 결정수는 마그네슘 양이온(Mg2+)과 양극 활물질을 구성하는 음이온과의 정전기적 상호작용을 차단하는 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 수화(hydrated) 망간계 복합 산화물은 전기화학적 합성법에 의해 상(phase)이 변화된 결과물인 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 마그네슘 전지용 전극 활물질은 탄소재를 더 포함하는 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제10항에 있어서, 상기 탄소재의 함량이 상기 마그네슘 전지용 전극 활물질 총 중량에 대하여 0
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제1항에 있어서, 상기 마그네슘 전지용 전극 활물질이 양극 활물질인 마그네슘 전지용 전극 활물질
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 전극 활물질을 포함하는 마그네슘 전지용 전극
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 전극 활물질을 양극 활물질로 포함하는 양극; 음극; 및 전해질; 을 포함하는 마그네슘 전지
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제14항에 있어서, 상기 양극 활물질의 작동전위가 2
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제14항에 있어서, 상기 전해질은 수계 전해질인 마그네슘 전지
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나노구조의 스피넬계 망간 산화물을 제조하는 단계; 및상기 나노구조의 스피넬계 망간 산화물을 전기화학적 합성법에 의해 제1항에 따른 층상 나노시트 구조의 수화(hydrated) 망간계 복합 산화물을 제조하는 단계;를 포함하는 마그네슘 전지용 전극 활물질의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 나노구조의 스피넬계 망간 산화물을 제조하는 단계는 수열합성법, 마이크로웨이브 합성법, 초음파 합성법, 액상법 또는 고상법을 이용하는 마그네슘 전지용 전극 활물질의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 전기화학적 합성법은 정전류법(galvanostactic) 또는 순환 전류 전압법(cycle voltametry)을 이용하는 마그네슘 전지용 전극 활물질의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 전기화학적 합성법은 정전류법(galvanostactic) 또는 순환 전류 전압법(cycle voltametry)으로 -1
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