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실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법(Manufacturing method for silicon carbide shottky diode)

  • 기술번호 : KST2016007180
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법에 있어서, 에피박막의 상부에 제1포토레지스트에 대해 마진 영역을 형성하도록 쇼트키금속을 오버에칭하는 단계와; 상기 에피박막의 상부에 제2포토레지스트 및 패드금속을 순차적으로 증착하는 단계와; 상기 패드금속을 열처리하여 오믹접합영역을 구현하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 포지티브 포토레지스트를 이용하여 쇼트키금속을 오버에칭하고, 네거티브 포토레지스트를 이용하여 패드금속을 리프트오프로 형성한 뒤 열처리하는 간단한 공정을 통해 이루어지는 강건구조를 갖는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드를 얻을 수 있는 효과를 제공한다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020140110888 (2014.08.25)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0024268 (2016.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
2 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0806101-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0023745-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0907859-22
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0188915-69
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0188907-04
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0438057-99
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.07.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0650519-52
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0650530-55
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0514341-12
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2016.09.27 수리 (Accepted) 7-8-2016-0034558-43
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0172641-51
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0460551-26
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0460539-88
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0453976-09
17 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0759836-67
18 법정기간연장승인서
2018.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0122357-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법에 있어서,에피박막의 상부에 제1포토레지스트에 대해 마진 영역을 형성하도록 쇼트키금속을 오버에칭하는 단계와;상기 에피박막의 상부에 제2포토레지스트 및 패드금속을 순차적으로 증착하는 단계와;상기 패드금속을 열처리하여 오믹접합영역을 구현하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 쇼트키금속을 오버에칭하는 단계 이전에,상기 에피박막에 p형 반도체를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 p형 반도체는 이온주입법(Ion implantation)을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 p형 반도체는 5×1018cm-3 이상의 농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 p형 반도체를 형성하는 단계 이후에,상기 에피박막의 상부에 상기 쇼트키금속을 증착하여 쇼트키접합을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 마진 영역은 상기 제1포토레지스트에 대해 10 내지 15㎛의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 제1포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이며, 상기 제2포토레지스트는 네거티브 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 제1포토레지스트는 네거티브 포토레지스트이며, 상기 제2포토레지스트는 포지티브 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 쇼트키 금속은 티타늄(Ti), 백금(Pt), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 중 어느하나 또는 이의 혼합물 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 패드금속을 열처리하는 온도는 400 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.