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쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법(Fabrication Methods Of Schottky Barrier Diodes)

  • 기술번호 : KST2016007923
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에피택셜층 상에 열산화막을 갖는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 일면에 에피택셜층을 갖는 SiC 기판을 제공하는 단계; 상기 에피택셜층을 산화 분위기에서 건식 산화하고, NO 가스 분위기에서 열처리하여 표면에 열산화막을 형성하는 단계; 상기 열산화막이 형성된 SiC 기판의 배면에 오믹금속층을 형성하는 단계; 상기 에피택셜층의 일부를 노출하는 개구를 형성하도록 상기 열산화막을 패터닝하는 단계; 및 상기 개구를 충진하는 쇼트키 금속 및 패드를 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 낮은 계면 결함 밀도를 갖고 이상적인 다이오드 계수를 갖는 쇼트키 배리어 다이오드를 제조할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/16 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020140120973 (2014.09.12)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1615304-0000 (2016.04.19)
공개번호/일자 10-2016-0031592 (2016.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20160427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시
3 김남균 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 김형우 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 이도현 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0865657-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0032594-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0679343-48
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1168785-40
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.30 무효 (Invalidation) 1-1-2015-1168798-33
8 보정요구서
Request for Amendment
2015.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0185627-58
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1286266-01
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1286262-18
11 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2016.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0001641-63
12 등록결정서
Decision to grant
2016.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0051476-95
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번호 청구항
1 1
일면에 에피택셜층을 갖는 n형 4H-SiC 기판을 제공하는 단계;상기 에피택셜층을 1150~1175℃의 온도 및 산화 분위기에서 1~5 시간 동안 건식 산화하고, 1175℃의 온도 및 NO 가스 분위기에서 1~3 시간 동안 열처리하여 N을 포함하게 된 표면에 열산화막을 형성하는 단계;상기 열산화막이 형성된 SiC 기판의 배면에 오믹금속층을 형성하고 950~1000℃의 온도에서 열처리하는 단계;상기 에피택셜층의 일부를 노출하는 개구를 형성하도록 상기 열산화막을 패터닝하는 단계; 상기 개구를 충진하는 쇼트키 금속을 N을 포함하는 표면에 증착하는 단계;상기 쇼트키 금속 상에 패드 금속층을 증착하는 단계; 및상기 패드 금속층을 패터닝하여 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜층 표면에 N을 포함하는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 패터닝 단계는,포토레지스트를 도포, 노광 및 현상하여 상기 개구에 대응하는 위치의 포토레지스트가 제거된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 열산화막의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 열산화막 형성 단계의 건식 산화는 O2 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법
5 5
일면에 n형 에피택셜층을 갖는 4H-SiC 기판을 제공하는 단계;상기 에피택셜층의 표면을 포함하는 일부에 p-n 접합이 형성되도록 p형 반도체 영역을 형성하는 단계;상기 에피택셜층을 1150~1175℃의 온도 및 산화 분위기에서 1~5 시간 동안 건식 산화하고, 1175℃의 온도 및 NO 가스 분위기에서 1~3 시간 동안 열처리하여 N을 포함하게 된 표면에 열산화막을 형성하는 단계;상기 열산화막이 형성된 SiC 기판의 배면에 오믹금속층을 형성하고 950~1000℃의 온도에서 열처리하는 단계;상기 에피택셜층의 일부를 노출하는 개구를 형성하도록 상기 열산화막을 패터닝하는 단계; 상기 개구를 충진하는 쇼트키 금속을 N을 포함하는 표면에 증착하는 단계;상기 쇼트키 금속 상에 패드 금속층을 증착하는 단계; 및상기 패드 금속층을 패터닝하여 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 에피택셜층 표면에 N을 포함하는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 p형 반도체 영역의 최소한 일부는 상기 쇼트키 금속의 에지와 접촉하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.