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반도체 기판에 활성 영역을 형성하는 단계;상기 활성 영역 상에 게이트 마스크가 상부에 존재하는 복수 개의 더미 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트 마스크 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 층간 절연막 및 상기 게이트 마스크를 연마할 수 있는 공통 슬러리 조성물을 사용하여 한 번의 화학적 기계적 연마 공정으로 상기 더미 게이트 상면에서 연마 정지되도록 하는 단계를 포함하는 게이트 라스트 공정에서의 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 마스크는 실리콘질화막, 상기 더미 게이트는 폴리실리콘, 및상기 층간 절연막은 실리콘산화막으로 구성되고,상기 공통 슬러리 조성물은 연마제, 실리콘질화막 연마가속제, 폴리실리콘막 연마억제제, 실리콘산화막 연마조절제, pH 조절제, 및 잔량의 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 공통 슬러리 조성물은 실리콘질화막:실리콘산화막의 연마 선택비가 1:1 내지 3:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 공통 슬러리 조성물은 실리콘질화막:폴리실리콘막의 연마 선택비가 50:1 내지 300:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 공통 슬러리 조성물은 실리콘산화막:폴리실리콘막의 연마 선택비가 30:1 내지 200:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 실리콘질화막 연마가속제는 이소류신(Isoleucine), 알라닌(Alanine), 글리신(Glycine), 글루타민(Glutamine), 트레오닌(Threonine), 세린(Serine), 아스파라긴(Asparagine), 티로신(Tyrosine), 시스테인(Cysteine), 발린(Valine), 류신(Leucine)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 공통 슬러리 조성물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 폴리실리콘막 연마억제제는,폴리비닐알콜(PVA), 에틸렌글리콜(EG), 글리세린, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌글리콜(PPG), 및 폴리비닐피롤리돈(PVP)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 비이온성 고분자;폴리아크릴산, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 암모늄염 및 폴리아크릴 말레익산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 음이온성 고분자; 또는알킬 소듐 설포네이트 불소계면활성제, 폴리옥시에틸렌 불소계면활성제, 비이온성 에톡시화 불소계면활성제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 불소계 계면활성제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 공통 슬러리 조성물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 실리콘산화막 연마조절제는,1-2-히드록시에틸-2-피롤리돈(1-2-Hydroxyethyl-2-pyrrolidone), 4-히드록시에틸-2-피롤리돈(4-Hydroxyethyl-2-pyrrolidone), 말레산 무수물(Maleic anhydride), 말레산 하이드라지드(Maleic hydrazide), 말레마이드(Malemide)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 공통 슬러리 조성물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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반도체 기판에 활성 영역을 형성하는 단계;상기 활성 영역 상에 실리콘질화막이 상부에 존재하는 복수 개의 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계;상기 실리콘질화막 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계; 및연마제, 실리콘질화막 연마가속제, 폴리실리콘막 연마억제제, 실리콘산화막 연마조절제, pH 조절제, 및 잔량의 용매를 함유하는 공통 슬러리 조성물을 사용하여 상기 폴리실리콘막 패턴의 상면이 노출될 때까지 상기 실리콘질화막 및 상기 실리콘산화막을 한 번의 화학적 기계적 연마 공정으로 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
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반도체 기판에 활성 영역을 형성하는 단계;상기 활성 영역 상에 실리콘질화막이 상부에 존재하는 복수 개의 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계;상기 실리콘질화막 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계; 및연마제, 실리콘질화막 연마가속제, 폴리실리콘막 연마억제제, 실리콘산화막 연마조절제, pH 조절제, 및 잔량의 용매를 함유하고,실리콘질화막:실리콘산화막의 연마 선택비가 1:1 내지 3:1이고, 실리콘질화막:폴리실리콘막의 연마 선택비가 100:1 내지 500:1이고, 실리콘산화막:폴리실리콘막의 연마 선택비가 30:1 내지 200:1이고,상기 연마제의 연마 입자의 직경은 3 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 공통 슬러리 조성물을 사용하여 상기 폴리실리콘막 패턴의 상면이 노출될 때까지 상기 실리콘질화막 및 상기 실리콘산화막을 한 번의 화학적 기계적 연마 공정으로 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
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