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터치스크린 패널용 전극 형성방법에 있어서,도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계; 및열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하되,상기 도전성 페이스트는,분말 형태의 은(Ag)과 분말 형태의 금속합금을 포함하고,상기 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하이며, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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제1항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는, 상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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제1항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 열처리된 메쉬 패턴을 0
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제1항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 메쉬 패턴을 상기 기판의 윗면과 수직한 축을 따라 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는,열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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6
제1항에 있어서,상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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삭제
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8
삭제
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제1항에 있어서,상기 금속합금은 비스무트(Bi)와 주석(Sn) 합금인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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제1항에 있어서,상기 금속합금은 58wt%의 비스무트(Bi)와 42wt%의 주석(Sn)을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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제10항에 있어서,상기 금속합금은 도전성 페이스트 100 중량부에 대하여 0 중량부 초과 50 중량부 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법
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도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계; 및열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하되,상기 도전성 페이스트는,분말 형태의 은(Ag)과 분말 형태의 금속합금을 포함하고,상기 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하이며, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법
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13
제12항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법
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제12항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 열처리된 메쉬 패턴을 0
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제12항에 있어서,상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는,열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법
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제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조된 터치스크린 패널
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제17항에 따른 터치스크린 패널;상기 터치스크린 패널에 결합된 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치
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제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조된 터치스크린 패널을 포함하는 디스플레이 패널
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제19항에 따른 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치
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