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단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법(Multi and asymmetric complex thin film using atomic layer deposition and method for manufacturing thereof)

  • 기술번호 : KST2016008959
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 도핑영역층과 비도핑영역층을 구비하여 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합박막은 박막 일부에 도판트 원자층을 포함하는 도핑영역층을 구비함으로써, 박막 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적 특성을 갖게 되고, 이는 도핑영역층과 비도핑영역층간의 밴드 구조가 달라지게 됨으로써 박막의 층 영역별로 전자기적 특성이 달라지게 되고, 기능성이 향상되어 디스플레이, 메모리, 반도체 영역 전반에 걸쳐서 사용될 수 있다. 나아가 복합박막 내 도핑영역층의 위치 및 이의 도판트 농도에 따라 다양한 전자기적 특성에 영향을 미치며, 따라서 도핑영역층의 위치 및 농도를 조절함으로써 박막의 전자기적 특성을 목적에 따라 손쉽게 조절할 수 있다. 본 발명에 따른 복합박막은 단원자 증착법으로 제조됨으로써, 간단한 공정을 통하여 박막의 광학적 및 전자기적 특성을 제어할 수 있으며, 별도의 추가 공정이나 복수의 막을 따로따로 제조할 필요가 없기 때문에 생산 단가 측면에서도 유리하다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 27/108 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45527(2013.01) C23C 16/45527(2013.01) C23C 16/45527(2013.01) C23C 16/45527(2013.01) C23C 16/45527(2013.01) C23C 16/45527(2013.01)
출원번호/일자 1020160037008 (2016.03.28)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1991456-0000 (2019.06.14)
공개번호/일자 10-2016-0042404 (2016.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20190621) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2013-0126765 (2013.10.23)
관련 출원번호 1020130126765
심사청구여부/일자 Y (2018.10.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정윤장 대한민국 서울시 강남구
2 이영국 대한민국 대전광역시 유성구
3 최원진 대한민국 서울시 은평구
4 이정오 대한민국 대전시 유성구
5 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
6 김창균 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0296429-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-1046352-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1046353-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0001421-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0219382-54
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0219381-19
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0393641-68
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번호 청구항
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제1금속을 사용하여 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법으로 형성된 2이상의 박막 매트릭스 원자층을 갖는 제1박막(들); 및제1박막과 상이한 특성을 가지며, 제1금속 및 도판트로서 제2금속을 사용하여 단원자 증착(ALD)법으로 형성된 2이상의 원자층을 갖는 제2박막(들)을 구비한 적층구조의 복합박막으로서,상기 제1금속의 ALD 사이클 1회는 1 박막 매트릭스 원자층을 형성하고, 상기 제2 금속의 ALD 사이클 1회는 1 도판트 원자층을 형성하며, 상기 복합박막 전체를 기준으로 제1금속의 ALD 사이클과 제2금속의 ALD 사이클을 일정한 주기로 반복하여 수행함으로써 전체 박막이 제조된 것을 제외하면서,상기 제1박막은 상기 제1금속으로 이루어지고, 상기 제2박막은 상기 제1금속과 제2금속으로 이루어지며, 상기 제1박막과 상기 제2박막이 접하는 계면에서 상기 제2박막은 제2금속으로만 이루어진 도판트 원자층을 포함하되, 상기 제1박막과 제2박막의 계면에서 상기 제1박막으로 제2금속 확산이 이루어지지 않아 제1박막과 제2박막이 서로 상이한 독립적인 전자기적 특성을 갖는 것이 특징인 복합박막
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단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 기판 상에, 제1항에 기재된 복합박막을 제조하는 방법으로서,제1금속의 전구체를 이용하여 2이상의 박막 매트릭스 원자층을 갖는 제1박막을 형성하는 단계를 포함하고,제2금속의 전구체를 이용하여 1 이상의 도판트 원자층을 적층하여 제2박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2박막을 형성하는 단계는, 반응 챔버 내에 제2금속의 전구체를 펄스(pulse)하여 ALD사이클에 의해 상기 도판트 원자층을 적층하는 제1단계; 및제1금속의 전구체를 펄스하여 ALD사이클에 의해 박막 매트릭스 원자층을 적층하는 제2단계를 포함하며,상기 제1단계 및 제2단계는 서로 상반된 순서로 진행될 수 있고,상기 제1박막은 제1금속으로 이루어지고, 상기 제2박막은 상기 제1금속과 제2금속으로 이루어지며, 상기 제1박막과 상기 제2박막이 접하는 계면에서 상기 제2박막은 제2금속으로만 이루어진 도판트 원자층을 포함하되, 상기 제1박막과 제2박막의 계면에서 상기 제1박막으로 제2금속 확산이 이루어지지 않아 제1박막과 제2박막이 서로 상이한 독립적인 전자기적 특성을 갖는 것이 특징인 제조 방법
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제1항에 기재된 복합박막을 구비한 것이 특징인 전자 소자
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1 KR1020150048259 KR 대한민국 FAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 정보전자 산업용 전구체 개발