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이온 교환막의 제조 방법(METHOD FOR MANUFACTURING ION-EXCHANGE MEMBRANE)

  • 기술번호 : KST2016009298
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온 교환막의 제조방법에 관한 것으로, 리세스 영역을 정의하는 임프린트 패턴을 포함하는 스탬프를 준비하는 것, 상기 리세스 영역에 레진을 채우는 것, 상기 레진을 경화시키는 것, 및 상기 경화된 레진을 기판 상에 전사하는 것을 포함하는 이온 교환막의 제조 방법이 제공된다.
Int. CL C08J 5/22 (2006.01.01) H01G 11/54 (2013.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01) H01M 10/056 (2010.01.01)
CPC C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01) C08J 5/2218(2013.01)
출원번호/일자 1020150068016 (2015.05.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2034147-0000 (2019.10.14)
공개번호/일자 10-2016-0047377 (2016.05.02) 문서열기
공고번호/일자 (20191111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140141872   |   2014.10.20
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
3 유인규 대한민국 충청남도 공주시
4 김빛나 대한민국 대전 서구
5 윤호경 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0467625-11
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0086127-18
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0086131-91
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.05 수리 (Accepted) 9-1-2018-0045215-86
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0128774-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0413740-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0413739-56
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0600073-35
10 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5033351-71
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리세스 영역을 정의하는 임프린트 패턴을 포함하는 스탬프를 준비하는 것;상기 리세스 영역에 레진을 채우는 것;상기 레진을 경화시키는 것; 및상기 경화된 레진을 기판 상에 전사하는 것을 포함하되,상기 임프린트 패턴은 복수의 기둥형 구조물들, 및 상기 기둥형 구조물들의 주위를 둘러싸는 측벽을 포함하는 이온 교환막의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기둥형 구조물들은 제 1 방향 및 제 2 방향을 따라 배열되어 복수의 행과 열을 이루는 이온 교환막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기둥형 구조물들은 일 방향을 따라 지그재그 형태로 배열되는 이온 교환막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 측벽은 상기 스탬프의 가장자리를 따라 배치되는 이온 교환막의 제조 방법
6 6
리세스 영역을 정의하는 임프린트 패턴을 포함하는 스탬프를 준비하는 것;상기 리세스 영역에 레진을 채우는 것;상기 레진을 경화시키는 것; 및상기 경화된 레진을 기판 상에 전사하는 것을 포함하되,상기 임프린트 패턴은 상기 스탬프 상부에 형성된 홀 형상을 갖는 상기 리세스 영역이고,상기 리세스 영역은 복수로 제공되는 이온 교환막의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 리세스 영역들은 제 1 방향 및 제 2 방향을 따라 배열되어 복수의 행과 열을 이루는 이온 교환막의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 스탬프는 평판 형태의 바닥부 및 상기 바닥부 상의 상기 임프린트 패턴을 포함하되,상기 바닥부의 일면은 직사각형, 원형 또는 다각형인 이온 교환막의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 이온 교환막은 상기 스탬프의 상기 임프린트 패턴에 대한 반전구조를 갖는 이온 교환막의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 반전구조는 기공 패턴 또는 기둥형의 나노 패턴인 이온 교환막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.