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질화물계 발광 다이오드의 제조방법(METHOD FOR MANUFACTURING OF NITRIDE-BASED LED)

  • 기술번호 : KST2016009457
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 순차적으로 적층되는 제 1 질화물 반도체층, 활성층 및 제 2 질화물 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하는 것, 상기 마스크막들은 서로 연결되지 않는 고립된 아일랜드 형태로 배치되어 상기 제 2 질화물 반도체층을 부분적으로 노출하고, 상기 발광 구조체 상에 마스크막들을 형성하는 것, 및 열처리 공정을 수행하여 상기 마스크막들에 의해 노출된 상기 제 2 질화물 반도체층을 식각하는 것을 포함하고, 상기 발광 구조체를 형성하는 것, 상기 마스크막들을 형성하는 것, 및 상기 열처리 공정을 수행하는 것은 동일한 장비 내에서 인-시츄 방식(in-situ manner)으로 수행되는 질화물계 발광 다이오드의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020150067558 (2015.05.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0049433 (2016.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140145091   |   2014.10.24
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성범 대한민국 대전광역시 유성구
2 고영호 대한민국 대전광역시 유성구
3 김동철 대한민국 대전광역시 유성구
4 김성복 대한민국 대전광역시 유성구
5 남은수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0464397-70
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1155836-25
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-1155837-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
기판 상에 순차적으로 적층되는 제 1 질화물 반도체층, 활성층 및 제 2 질화물 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하는 것;상기 발광 구조체 상에 마스크막들을 형성하는 것, 상기 마스크막들은 서로 연결되지 않는 고립된 아일랜드 형태로 배치되어 상기 제 2 질화물 반도체층을 부분적으로 노출하고; 및열처리 공정을 수행하여 상기 마스크막들에 의해 노출된 상기 제 2 질화물 반도체층을 식각하는 것을 포함하되,상기 발광 구조체를 형성하는 것, 상기 마스크막들을 형성하는 것, 및 상기 열처리 공정을 수행하는 것은 동일한 장비 내에서 인-시츄 방식(in-situ manner)으로 수행되는 질화물계 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 국제공동기술개발사업 의료 및 정밀가공기기용 자외선(Deep UV 반도체 레이저개발