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근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법(fNIR Photo-Detector and the Fabrication Method Thereof)

  • 기술번호 : KST2016009760
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상에 코어/쉘 형태로 상호 간격을 두고 다수의 나노와이어들을 형성하여 마련되는 나노와이어층; 상기 나노와이어층 상에 형성되는 양자점층; 상기 코어에 접속되는 제1전극; 상기 양자점층 상에 형성되는 투명한 제2전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 저선량 및 고감도의 근적외선 검출이 가능한 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다. 또한, 피검체의 상태 및 다양한 악조건에서도 신뢰성이 우수한 근적외선 검출 데이터를 획득할 수 있는 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다. 특히, 본 발명에 따르면, 뇌의 기능적 근적외선을 검출하는 fNIR 분야에 매우 적합한 근적외선용 디텍터소자 및 그 제조방법이 제공된다.
Int. CL G01N 21/359 (2014.01) A61B 5/1455 (2006.01) A61B 5/026 (2006.01)
CPC A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01) A61B 5/1455(2013.01)
출원번호/일자 1020140147376 (2014.10.28)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1658896-0000 (2016.09.13)
공개번호/일자 10-2016-0049760 (2016.05.10) 문서열기
공고번호/일자 (20160922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종수 대한민국 대구광역시 달서구
2 임완진 대한민국 대전광역시 서구
3 나현수 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1034457-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0011912-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0166588-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0428533-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0428574-56
7 등록결정서
Decision to grant
2016.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0632606-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
근적외선용 디텍터소자에 있어서, 기판;상기 기판 상에 코어/쉘 형태로 상호 간격을 두고 다수의 나노와이어들을 형성하여 마련되는 나노와이어층;상기 나노와이어층 상에 형성되는 양자점층;상기 코어에 접속되는 제1전극;상기 양자점층 상에 형성되는 투명한 제2전극;을 포함하고,상기 기판은 P-type 단결정 실리콘 기판으로 마련되며;상기 나노와이어의 코어는 P-type 코어로 형성되고, 상기 나노와이어의 쉘은 N-type 쉘로 형성되며;상기 양자점층은 P-type 양자점으로 형성되는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자
3 3
근적외선용 디텍터소자에 있어서, 기판;상기 기판 상에 코어/쉘 형태로 상호 간격을 두고 다수의 나노와이어들을 형성하여 마련되는 나노와이어층;상기 나노와이어층 상에 형성되는 양자점층;상기 코어에 접속되는 제1전극;상기 양자점층 상에 형성되는 투명한 제2전극;을 포함하고,상기 기판은 N-type 단결정 실리콘 기판으로 마련되며;상기 나노와이어의 코어는 N-type 코어로 형성되고, 상기 나노와이어의 쉘은 P-type 쉘로 형성되며;상기 양자점층은 N-type 양자점으로 형성되는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자
4 4
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 각 나노와이어의 코어는 상기 기판을 에칭하여 형성되는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자
5 5
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 양자점층은 600nm 내지 900nm 파장대 중 선택되는 파장대의 빛에 대한 흡광 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 양자점은 Cd, Pb, Au, Ag, Fe, Cu, Mn, Pc, In, Zn 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질과, Te, S, Se, Cu, Co, Sn, I, Pt, Ag, As, P, In 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자
7 7
제5항에 있어서, 상기 기판의 일 측에 도전성 에디션 레이어(addition layer) 물질과 전극물질을 차례로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 에디션 레이어(addition layer) 물질은 Ti, Cu, Cr 중 어느 하나이며, 상기 전극물질은 Au, Ag, Al, Pt 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자
9 9
삭제
10 10
근적외선용 디텍터소자의 제조방법에 있어서, 기판 상에 p/n 또는 n/p 접합을 이루는 코어/쉘 형태의 다수 나노와이어들을 상호 이격되게 형성하는 나노와이어층 형성 단계;상기 나노와이어층 상에서 상기 나노와이어들에 대해 n/p접합 또는 p/n접합을 이룰 수 있는 양자점층을 형성하는 단계;상기 코어에 접속되는 제1전극을 형성하는 단계;상기 양자점층 상에 투명한 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 P-type 단결정 실리콘 기판으로 마련되며;상기 나노와이어의 코어는 상기 기판을 에칭하여 형성되고, 상기 나노와이어의 쉘은 N-type 도핑되며;상기 양자점층은 P-type 양자점을 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자의 제조방법
11 11
근적외선용 디텍터소자의 제조방법에 있어서, 기판 상에 p/n 또는 n/p 접합을 이루는 코어/쉘 형태의 다수 나노와이어들을 상호 이격되게 형성하는 나노와이어층 형성 단계;상기 나노와이어층 상에서 상기 나노와이어들에 대해 n/p접합 또는 p/n접합을 이룰 수 있는 양자점층을 형성하는 단계;상기 코어에 접속되는 제1전극을 형성하는 단계;상기 양자점층 상에 투명한 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 N-type 단결정 실리콘 기판으로 마련되며;상기 나노와이어의 코어는 상기 기판을 에칭하여 형성되고, 상기 나노와이어의 쉘은 P-type 도핑되며;상기 양자점층은 N-type 양자점을 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자의 제조방법
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 양자점은 Cd, Pb, Au, Ag, Fe, Cu, Mn, Pc, In, Zn 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질과, Te, S, Se, Cu, Co, Sn, I, Pt, Ag, As, P, In 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 물질의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 근적외선용 디텍터소자의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 대구경북과학기술원 일반사업 뇌매핑 기반의 로봇재활