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페로브스카이트와 염료를 이용한 태양전지 및 그 제조 방법(Manufacturing method and thin film solar cell using perovskite and dye)

  • 기술번호 : KST2016009823
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 흡수층에서 흡수되는 광의 파장영역 및 광 흡수량이 향상되도록 구조가 개선된 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 전도성 투명 기판을 포함하는 제1전극과, 상기 제1전극 상에 형성되는 블로킹층과, 상기 블로킹층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층이 형성된 제1전극에 대향하며 배치되는 제2전극과, 상기 제2전극과 상기 광 흡수층 사이에 형성되는 정공전달층을 포함하며, 상기 광 흡수층은, 유기염료 및 무기염료 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제1염료와, 페로브스카이트 염료를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01)
출원번호/일자 1020140148571 (2014.10.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1623653-0000 (2016.05.17)
공개번호/일자 10-2016-0050456 (2016.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20160523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 서초구
2 이해석 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 강윤묵 대한민국 경기도 수원시 팔달구
4 이승훈 대한민국 서울특별시 동대문구
5 김성탁 대한민국 광주광역시 서구
6 정태원 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동건 대한민국 서울특별시 강남구 논현로***길 *, *층 ***호 (논현동)(차암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1042469-72
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0416393-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0046579-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0746056-00
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1275861-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0093941-41
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0093937-68
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0294175-34
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0387245-44
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0327692-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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삭제
2 2
삭제
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전도성 투명 기판을 포함하는 제1전극;상기 제1전극 상에 형성되는 블로킹층;상기 블로킹층 상에 형성된 광 흡수층;상기 광 흡수층이 형성된 제1전극에 대향하며 배치되는 제2전극; 및상기 제2전극과 상기 광 흡수층 사이에 형성되는 정공전달층;을 포함하며,상기 광 흡수층은,다공성 금속산화물층과, 상기 다공성 금속산화물층 상에 형성된 페로브스카이트 염료층을 포함하되, 상기 다공성 금속산화물층의 표면에는 상기 다공성 금속산화물과는 다른 종류의 금속산화물이 코팅되어 상기 다공성 금속 산화물층 및 상기 페로브스카이트 염료층 사이의 계면에서 보조 블로킹층으로 기능하며, 상기 다공성 금속 산화물층은 TiO2를 포함하고, 상기 금속 산화물로는 MgO, WO3, SnO2, PbO, In2O3, Bi2O3, Ta2O5, BaTiO3, BaZrO3,또는 ZrO3를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
블로킹 층을 형성한 투명 전도성 기판에 다공성 금속산화물층을 형성하는 단계;상기 다공성 금속산화물층의 표면에는 상기 다공성 금속산화물과는 다른 종류의 금속산화물을 코팅하여 상기 다공성 금속 산화물층 상에 보조 블로킹층을 형성하는 단계;상기 보조 블로킹층으로 코팅된 다공성 금속산화물층에 페로브스카이트 염료를 증착하여 페로브스카이트 염료층을 형성하는 단계;상기 증착된 페로브스카이트 염료층 상에 정공전달층을 증착하는 단계; 및상기 정공전달층 상에 상대전극을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 다공성 금속 산화물층은 TiO2를 포함하고, 상기 금속 산화물로는 MgO, WO3, SnO2, PbO, In2O3, Bi2O3, Ta2O5, BaTiO3, BaZrO3,또는 ZrO3를 포함하는 것을특징으로 하는 태양전지 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교 산학협력단 에너지국제공동연구사업 페로브스카이트 나노융합 실리콘 태양전지 기술개발