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인 제거용 키토산 복합체 및 이의 제조방법(CHITOSAN COMPOSITE OF ELIMINATING POSPHORUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016010360
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인 제거용 키토산 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 산 용액에, 히스티딘 및 키토산 분말을 혼합하여 키토산-히스티딘 용액을 제조하는 단계; 상기 키토산-히스티딘 용액을 적정하여 키토산-히스티딘 비드를 제조하는 단계; 및 상기 키토산-히스티딘 비드를 전이금속 수용액에 혼합하여, 키토산-히스티딘 비드의 아민기와 전이금속 이온의 킬레이트 결합을 유도하는 단계를 포함함으로써, 상기 킬레이트 결합에 의해 키토산-히스티딘 비드 내부의 고분자와 전이금속 이온이 가교되고 전이금속 이온은 리간드 결합이 가능한 기능기로 작용하여, 수중의 경쟁 이온의 존재 여부와 관계없이 인을 선택적으로 제거할 수 있고, 내구성이 우수한 인 제거용 키토산 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C02F 103/00 (2006.01) C02F 3/12 (2006.01) C02F 1/58 (2006.01) C02F 1/28 (2006.01)
CPC C02F 1/58(2013.01) C02F 1/58(2013.01) C02F 1/58(2013.01) C02F 1/58(2013.01)
출원번호/일자 1020140157293 (2014.11.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1672231-0000 (2016.10.28)
공개번호/일자 10-2016-0056677 (2016.05.20) 문서열기
공고번호/일자 (20161104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재우 대한민국 서울특별시 성북구
2 이상협 대한민국 서울특별시 성북구
3 안병렬 대한민국 서울특별시 성북구
4 정가영 대한민국 서울특별시 성북구
5 박찬혁 대한민국 서울특별시 성북구
6 이순재 대한민국 서울특별시 성북구
7 권규상 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-1090556-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0072538-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0118222-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0370203-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0370231-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0552746-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산 용액에, 히스티딘 및 키토산 분말을 혼합하여 키토산-히스티딘 용액을 제조하는 단계; 상기 키토산-히스티딘 용액을 적정하여 키토산-히스티딘 비드를 제조하는 단계;상기 키토산-히스티딘 비드를 전이금속 수용액에 혼합하여, 키토산-히스티딘 비드의 아민기와 전이금속 이온의 킬레이트 결합을 유도하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 인 제거용 키토산 복합체의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 킬레이트 결합은 키토산-히스티딘 비드 내부의 고분자와 전이금속 이온을 가교하고, 전이금속 이온은 리간드 결합이 가능한 기능기로 작용하는 것을 특징으로 하는 인 제거용 키토산 복합체의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 산 용액은 염산 수용액인 것을 특징으로 하는 인 제거용 키토산 복합체의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 키토산-히스티딘 용액은 키토산 분말이 1 내지 3중량% 함유되고, 히스티딘 분말이 1 내지 3중량% 함유된 것을 특징으로 하는 인 제거용 키토산 복합체의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 전이금속 수용액은 염화제2구리수화물(CuCl2·2H2O), 염화니켈수화물(NiCl2·6H2O) 또는 이들의 혼합물이 함유된 것을 특징으로 하는 인 제거용 키토산 복합체의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 염화제2구리수화물이 함유된 수용액은 pH가 4 내지 5이고, 농도가 1 내지 2중량%인 것을 특징으로 하는 인 제거용 키토산 복합체의 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 염화니켈수화물(NiCl2·6H2O)이 함유된 수용액은 pH가 5 내지 7이고, 농도가 0
8 8
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