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(A) 기판 상에 나노실리카-고분자 컴포짓을 코팅하는 단계; 및(B) (A) 단계에 의해 코팅된 기판을 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 양친매성 표면을 위한 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,나노실리카-고분자 컴포짓 코팅층에서 나노실리카 입자에 의한 표면 덮힘율은 5~78
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제 2 항에 있어서, 상기 나노실리카의 평균 입경이 5~1,000 nm인 것을 특징으로 하는 양친매성 표면을 위한 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노실리카-고분자 컴포짓에서 나노실리카의 함량은 3~20 wt%인 것을 특징으로 하는 양친매성 표면을 위한 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자는 폴리에틸렌, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리우레탄, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 양친매성 표면을 위한 표면 개질 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 양친매성은 극성을 갖는 물과, 비극성인 디아이오도메탄에 대한 접촉각이 모두 0~5˚인 초양친매성인 것을 특징으로 하는 양친매성 표면을 위한 표면 개질 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 산소분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 양친매성 표면을 위한 표면 개질 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마는 상압 플라즈마인 것을 특징으로 하는 양친매성 표면을 위한 표면 개질 방법
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기판 상에 플라즈마로 처리된 나노실리카-고분자 컴포짓 코팅층을 갖는 것을 특징으로 하는 양친매성 소재
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제 9 항에 있어서,상기 양친매성은 극성을 갖는 물과, 비극성인 디아이오도메탄에 대한 접촉각이 모두 0~5˚인 것을 특징으로 하는 양친매성 소재
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제 10 항의 소재 상에 전도층을 형성하여 제조한 것을 특징으로 하는 투명전극
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