요약 | 본 발명은 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 및 이를 이용한 Si 나노입자의 제조방법에 관한 것이다. |
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Int. CL | C01B 33/021 (2006.01) B01J 19/10 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) |
CPC | C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020140170346 (2014.12.02) |
출원인 | 한국에너지기술연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2016-0066599 (2016.06.13) 문서열기 |
공고번호/일자 | 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2014.12.02) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 장보윤 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 김준수 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 이진석 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 최선호 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 구정분 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인(유한) 대아 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1171524-88 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.01.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0063885-00 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.04.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2015.06.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0038001-44 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.04.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0251112-27 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2016.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0545765-36 |
8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2016.07.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0651469-35 |
9 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2016.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0680698-53 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0757603-10 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.08.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0757604-66 |
12 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2016.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0915635-80 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0074126-02 |
15 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2017.01.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2017-0074127-47 |
16 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2017.02.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0096669-22 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 반응 공간을 제공하는 반응부(110);상기 반응 공간의 상측에 구비되며, 실리콘 전구체 가스를 주입하는 전구체 가스 주입부(120);상기 반응 공간에 제공되는 플라즈마 토치의 소스로서 마이크로파를 생성하는 출력 공급부(130);상기 반응 공간에 플라즈마 가스 및 반응 가스를 스월 형태로 제공하는 스월가스 주입부(140);상기 전구체 가스 주입부에서 상기 반응 공간으로 연결되는 유로 내 반응 가스를 선형 형태로 제공하는 반응가스 주입부(150);를 포함하고,상기 반응 공간에 스월 형태로 제공되는 스월 가스 중 반응 가스인 수소의 주입량은 공급되는 실리콘 전구체의 양(ml)에 의존하며, 상기 전구체 가스 주입부에서 상기 반응 공간으로 연결되는 유로 내 선형 형태로 제공되는 반응가스인 수소의 주입량은 공급되는 실리콘 전구체의 양(ml)에 의존하되, 상기 반응 공간에 스월 형태로 제공되는 스월 가스 중 반응 가스인 수소의 주입량은 1 ~ 10 slpm/ml이고, 상기 전구체 가스 주입부에서 상기 반응 공간으로 연결되는 유로 내 선형 형태로 제공되는 반응가스인 수소의 주입량은 1 ~ 25 slpm/ml인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 |
2 |
2 제 1항에 있어서,상기 반응부의 후단에 구비되어 Si 나노입자를 포집하는 입자 포집부(160)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제 1항에 있어서,상기 반응 공간에 제공되는 플라즈마의 형성 가스는 N2이며, 출력에 의존하며, 유량은 5 ~ 15 slpm/kW인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 |
6 |
6 제 1항에 있어서,상기 실리콘 전구체 가스의 양은 인가된 출력에 의존하며, 25℃에서 0 |
7 |
7 제 1항에 있어서,상기 주입되는 실리콘 전구체는 기화시켜 주입하며, 이 때 기화된 전구체 가스의 온도는 100 ~ 350℃인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 |
8 |
8 제 1항에 있어서,상기 반응 공간 내 석영관이 구비되며, 플라즈마 형성이 시작되는 지점부터 석영관의 끝단까지의 길이는 출력에 의존하며, 1 ~ 10 cm/kW인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 |
9 |
9 제 1항에 있어서,상기 제조되는 Si 나노입자는 코어-쉘 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 |
10 |
10 제 1항에 있어서,상기 제조되는 Si 나노입자의 크기는 20~150 nm인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치 |
11 |
11 반응 공간을 제공하는 반응부(110)와 상기 반응 공간의 상측에 구비되며, 실리콘 전구체 가스를 주입하는 전구체 가스 주입부(120)와 상기 반응 공간에 제공되는 플라즈마 토치의 소스로서 마이크로파를 생성하는 출력 공급부(130)와 상기 반응 공간에 플라즈마 가스 및 반응가스를 스월 형태로 제공하는 스월가스 주입부(140)와 상기 전구체 가스 주입부에서 상기 반응 공간으로 연결되는 유로 내 반응가스를 선형 형태로 제공하는 반응가스 주입부(150)를 포함하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조장치에 의하는 Si 나노입자의 제조방법으로,상기 공급된 전구체 가스, 플라즈마 가스, 반응가스가 상기 반응부에서 와류를 따라 반응하도록 하고,상기 반응 공간에 스월 형태로 제공되는 스월 가스 중 반응 가스인 수소의 주입량은 공급되는 실리콘 전구체의 양(ml)에 의존하며, 상기 전구체 가스 주입부에서 상기 반응 공간으로 연결되는 유로 내 선형 형태로 제공되는 반응가스인 수소의 주입량은 공급되는 실리콘 전구체의 양(ml)에 의존하되, 상기 반응 공간에 스월 형태로 제공되는 스월 가스 중 반응 가스인 수소의 주입량은 1 ~ 10 slpm/ml이고, 상기 전구체 가스 주입부에서 상기 반응 공간으로 연결되는 유로 내 선형 형태로 제공되는 반응가스인 수소의 주입량은 1 ~ 25 slpm/ml인 것을 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자의 제조방법 |
12 |
12 제 11항에 있어서,상기 실리콘 전구체 가스는 액상의 SiCl4를 가스화한 것임을 특징으로 하는 Si 나노입자의 제조방법 |
13 |
13 삭제 |
14 |
14 삭제 |
15 |
15 제 11항에 있어서,상기 반응 공간에 제공되는 플라즈마의 형성 가스는 N2이며, 유량은 출력 1kW 당 5 ~ 15 slpm인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자의 제조방법 |
16 |
16 제 11항에 있어서,상기 실리콘 전구체 가스의 양은 25℃에서 출력 1kW 당 0 |
17 |
17 제 11항에 있어서,상기 주입되는 실리콘 전구체는 기화시켜 주입하며, 이 때 기화된 전구체 가스의 온도는 100 ~ 350 ℃인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자 제조방법 |
18 |
18 제 11항에 있어서,상기 제조되는 Si 나노입자는 코어-쉘 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마를 이용한 Si 나노입자의 제조방법 |
19 |
19 삭제 |
20 |
20 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US20160152480 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2016152480 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 산업통상자원부 | 한국에너지기술연구원 | 주요사업(구,기본사업) | 리튬이차전지용 나노 실리콘-탄소계 음극제 실용화 기술 개발 |
등록사항 정보가 없습니다 |
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번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2014.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1171524-88 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.01.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0063885-00 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.04.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2015.06.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0038001-44 |
6 | 의견제출통지서 | 2016.04.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0251112-27 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.06.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0545765-36 |
8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.07.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0651469-35 |
9 | [출원서등 보정]보정서 | 2016.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0680698-53 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0757603-10 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.08.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0757604-66 |
12 | 거절결정서 | 2016.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0915635-80 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0074126-02 |
15 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2017.01.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2017-0074127-47 |
16 | 등록결정서 | 2017.02.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0096669-22 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1711020198 |
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세부과제번호 | B4-2443 |
연구과제명 | 탄소 복합소재기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2014 |
연구기간 | 201401~201412 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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