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제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되며, 질소가 도핑된 금속 산화물(NxMOy)을 포함하며, 0
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제1항에 있어서, 상기 가변 저항 물질층은 질소가 도핑된 탄탈륨 산화물, 질소가 도핑된 텅스텐 산화물, 질소가 도핑된 망간 산화물, 질소가 도핑된 코발트 산화물, 질소가 도핑된 티타늄 산화물, 질소가 도핑된 하프늄 산화물 또는 질소가 도핑된 철 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 가변 저항 물질층은 질소가 도핑된 탄탈륨 산화물(NxTaOy)을 포함하며, 0
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제1항에 있어서,상기 가변 저항 물질층은 바이폴라 메모리 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치
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제4항에 있어서,상기 가변 저항 물질층은 셋 전압(Vset)이 인가될 때 셋 전류(Iset)를 가지며, 상기 가변 저항 물질층의 저저항 상태에서, 상기 가변 저항 물질층은 상기 셋 전압(Vset)의 1/2인 하프 셋 전압(half set voltage, 1/2Vset)이 인가될 때 하프 셋 전류(I(1/2Vset)를 가지고, 선형성(linearity, NL)이 상기 하프 셋 전류에 대한 상기 셋 전류의 비율(NL= Iset / I(1/2Vset))로 정의될 때,상기 가변 저항 물질층은 2 내지 3
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제5항에 있어서,상기 가변 저항 물질층은 2 내지 2
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7
제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 가변 저항 물질층 사이에, 또는 상기 제2 전극과 상기 가변 저항 물질층 사이에 전도 보조층(conduction assisting layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치
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8
제7항에 있어서,상기 전도 보조층은 탄탈륨, 하프늄, 지르코늄, 텅스텐, 알루미늄, 티타늄 또는 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치
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9
제7항에 있어서,상기 전도 보조층은 상기 가변 저항 물질층 내에 형성되는 산소의 공급층 또는 산소 공공(vacancy)의 스캐빈징층(scavenging layer)으로 작용하는 것을 특징으로 하는 저항성 메모리 장치
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10
서로 평행하게 배열된 복수의 제1 전극들;상기 복수의 제1 전극들과 교차하고, 서로 평행하게 배열된 복수의 제2 전극들;각각이 상기 복수의 제1 전극들과 상기 복수의 제2 전극들의 각각의 교차점들에 배치되는 복수의 메모리 셀들;을 포함하며,상기 복수의 메모리 셀들 각각은 멀티 비트 메모리 특성을 갖는 가변 저항 물질층을 포함하는 저항성 메모리 장치
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