| 1 |
1
베이스 필름 상에 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 고분자 박막을 10M 내지 15M 농도의 질산으로 처리하는 단계; 및상기 질산 처리된 고분자 박막을 세정하는 단계를 포함하되,상기 질산 처리는 상온에서, 7분 내지 13분 동안 수행되는 전도성 필름 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 질산 처리 하기 전 고분자 박막은 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 베이스 필름은 투명하며 유연한 전도성 필름 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 고분자 박막은 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrole), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 폴리아세틸렌(polyacetylene) 중 적어도 하나를 포함하는 전도성 필름 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 고분자 박막은 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술포네이트 (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS))를 포함하는 전도성 필름 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 질산 처리된 고분자 박막은 물로 세정하는 전도성 필름 제조 방법
|
| 7 |
7
베이스 필름 상에 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 고분자 박막을 3 내지 15M 농도의 질산으로 처리하는 단계; 및상기 질산 처리된 고분자 박막을 세정하는 단계를 포함하되,상기 질산 처리는 상온에서, 7분 내지 13분동안 수행되며,상기 질산의 농도에 따라 상기 고분자 박막의 전도도를 변화시키는 전도성 필름 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 고분자 박막을 3M 농도의 질산으로 처리하면, 상기 고분자 박막은 1,600 S/cm의 전도도를 가지며,상기 고분자 박막을 14M 농도의 질산으로 처리하면, 상기 고분자 박막은 4,000S/cm의 전도도를 갖는 전도성 필름 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 고분자 박막은 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술포네이트 (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS))를 포함하는 전도성 필름 제조 방법
|
