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기판상에 나노구조물을 형성하는 단계;상기 나노구조물이 형성된 기판을 수열합성용 전구용액에 침지시키는 단계; 및,상기 나노구조물에 펄스폭이 100 ns 내지 3000 ns의 범위에서 조절된 펄스 레이저(pulsed laser)를 조사하여 솔더 범프(solder bump)를 형성하는 단계;를 포함하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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기판상에 적어도 두 개 이상의 나노구조물을 형성하는 단계;상기 나노구조물이 형성된 기판을 수열합성용 전구용액에 침지시키는 단계; 및,상기 나노구조물 중 어느 하나에 펄스폭이 100 ns 내지 3000 ns의 범위에서 조절된 펄스 레이저(pulsed laser)를 조사하여 솔더 구조물을 성장시켜서, 상기 적어도 두 개 이상의 나노구조물이 연결되는 단계;를 포함하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노구조물은,적어도 일부에 레이저의 빛에너지를 흡수하기 위한 광흡수층이 형성된 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 수열합성용 전구용액은,전구체 수용액 및 아민류 화합물 수용액의 혼합액인 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 4항에 있어서,상기 전구체 수용액은,금속 전구체 또는 반도체 전구체 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 4항에 있어서, 상기 아민류 화합물은 헥사메틸렌아민 (hexamethyleneamine), 헥사메틸렌테트라아민 (hexamethylenetetramine, HMT), 사이클로헥실아민(cyclohexylamine), 모노에탄올아민(monoethanolamine), 디에탄올아민 (diethanolamine) 및 트리에탄올아민(triethanolamine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 3항에 있어서,상기 광흡수층은,레이저의 파장에 따라 다른 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 3항에 있어서,상기 광흡수층은,금속 및 반도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 2항에 있어서,상기 솔더 구조물을 형성하는 단계 이후에,솔더 구조물을 어닐링(annealing) 시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 펄스 레이저는,펄스의 듀티비(duty ratio)가 5% 내지 20%의 비율인 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 3항에 있어서,상기 펄스 레이저는,상기 기판이 실리콘 기판이고, 상기 나노구조물이 50 nm 두께의 산화막이며, 상기 광흡수층이 40 nm 두께의 텅스텐(tungsten) 흡수층이고, 상압일 경우, 상기 펄스 레이저의 피크 파워는 5 mW/㎛2 내지 20 mW/㎛2 범위에서 제어되는 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노구조물이 잠기도록 도포하는 단계 이후에,상기 기판상에 투명기판을 덮어주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기능성 금속산화물 솔더링 방법
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기판상에 적어도 두 개 이상의 나노구조물을 형성하는 단계;상기 나노구조물이 형성된 기판을 수열합성용 전구용액에 침지시키는 단계; 및,상기 나노구조물 중 어느 하나에 펄스폭이 100 ns 내지 3000 ns의 범위에서 조절된 펄스 레이저(pulsed laser)를 조사하여 솔더 구조물을 성장시켜서, 상기 적어도 두 개 이상의 나노구조물이 연결되는 단계;를 포함하는 방법으로 제조된 전자소자
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제 14항에 있어서,상기 전자소자는 가스센서, 태양전지, 트랜지스터, 발광다이오드, 바이오센서, 광센서, 또는 광검출기를 포함하는 전자소자
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