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누설 전류를 저감한 비정질 셀레늄 기반 X-ray 디텍터(Amorphous-Selenium Based X-ray Detector for Decreasing Leakage Current)

  • 기술번호 : KST2016012488
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 셀레늄에 As 혹은 Cl 등을 도핑하지 않고, 비정질 셀레늄 층에서 X-ray에 의해서 발생한 전자-정공 쌍의 유입은 원활하게 하되, 밴드갭 엔지니어링을 통해, 금속 전극으로부터 비정질 셀레늄 층으로 전계에 의해서 주입되는 전자의 누설전류를 막을 수 있는 비정질 셀레늄 기반 X-ray 디텍터에 관한 것이다
Int. CL G01T 1/24 (2006.01.01)
CPC G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01) G01T 1/24(2013.01)
출원번호/일자 1020140184422 (2014.12.19)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0075912 (2016.06.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허두창 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 양기동 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 전성채 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 차보경 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1236595-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-1191771-90
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
X-ray 영상 획득을 위한 X-ray 디텍터에 있어서,제1금속 층, 비정질 셀레늄 층, 전자 블로킹 층, 및 제2금속 층이 순차 적층된 구조를 포함하고,상기 비정질 셀레늄 층으로 X-ray를 입사하여 발생한 전자-정공 쌍에 대하여 상기 제1금속 층으로 전자의 흐름과 상기 제2금속 층으로 정공의 흐름에 따른, 전기적 신호를 읽어 X-ray 영상을 획득하되, 상기 전자 블로킹 층은, 상기 비정질 셀레늄 층과 상기 제2금속 층 간의 에너지 밴드갭 보다 높은 에너지 밴드갭을 형성함으로써, 상기 비정질 셀레늄 층의 트랩사이트와 상기 제2금속 층 간의 커플링을 막아 누설전류를 줄이며, 상기 제1금속 층과 상기 제2금속 층에 인가된 전압에 의한 상기 제2금속 층으로부터 상기 비정질 셀레늄 층으로의 전자의 이동을 저감하여 누설전류를 줄이기 위한 것을 특징으로 하는 X-ray 디텍터
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제1항에 있어서,상기 전자 블로킹 층은, PEDOT:PSS가 포함된 층인 것을 특징으로 하는 X-ray 디텍터
3 3
제1항에 있어서,상기 전자 블로킹 층은, P3HT가 포함된 층인 것을 특징으로 하는 X-ray 디텍터
4 4
제1항에 있어서,상기 전자 블로킹 층은, p-NiO가 포함된 층인 것을 특징으로 하는 X-ray 디텍터
5 5
제1항에 있어서,상기 제1금속 층은 ITO가 포함된 층이고, 상기 제2금속층은 Cr이 포함된 층인 것을 특징으로 하는 X-ray 디텍터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.