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P형 탄화규소 단결정 성장장치(growing apparatus for P-type silicon carbide single crystal)

  • 기술번호 : KST2016012695
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 P형 탄화규소 단결정 성장장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, Al3C4 분말이 장입되는 내부공간이 마련된 도가니, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재 및 석영관,상기 석영관 외부에 마련되어 상기 도가니를 가열하기 위한 가열수단, 상기 도가니 내부에 위치되어 상기 도가니의 내측면과의 사이 공간에 상기 제1 원료 분말의 승화를 유도하기 위한 유도 통로를 형성하고, 상기 제1 원료 분말과 분리시키면서 SiC 분말을 장입하기 위한 분말 받침대, 상기 도가니의 측면에 관통 형성되고, 상기 유도 통로에 Al-N2 반응을 위한 N2 가스를 주입하기 위한 개구부, 및 상기 도가니 내부 상부에 위치되고, Al3C4 분말과 SiC 분말을 결합하여 저저항의 p형 탄화규소 단결정 성장시키는 종자정을 포함한다.
Int. CL C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01)
CPC C30B 25/00(2013.01) C30B 25/00(2013.01) C30B 25/00(2013.01) C30B 25/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140187652 (2014.12.23)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0077584 (2016.07.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 은태희 대한민국 경북 포항시 남구
2 여임규 대한민국 경북 포항시 남구
3 박노형 대한민국 경북 포항시 남구
4 이승석 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1253201-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0071460-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0238257-88
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0526381-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0633745-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0633762-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0838132-97
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0071511-52
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0071510-17
12 등록결정서
Decision to grant
2017.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0073113-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 원료 분말로서 Al4C3 분말이 장입되는 내부공간이 마련된 도가니, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재 및 석영관, 상기 석영관 외부에 마련되어 상기 도가니를 가열하기 위한 가열수단,상기 도가니 내부에 위치되어 상기 도가니의 내측면과의 사이 공간에 상기 Al4C3 분말의 승화를 유도하기 위한 유도 통로를 형성하고, 상기 Al4C3 분말과 분리시키면서 SiC 분말을 장입하기 위한 분말 받침대,상기 도가니의 측면에 관통 형성되고, 상기 유도 통로에 Al-N2 반응을 위한 N2 가스를 주입하기 위한 개구부,상기 도가니 내부 상부에 위치되고, Al4C3 분말과 SiC 분말을 결합하여 저저항의 p형 탄화규소 단결정 성장시키는 종자정을 포함하고, 상기 분말 받침대는 상기 도가니의 바닥면에 지지된 지지부재에 의하여 지지되고, 상기 도가니 내벽에서 분말 받침대 외벽까지 거리를 유도 통로 가로 길이하고 하면, 유도 통로 가로 길이(D3)는 (D1 -D2)/40 보다 크고 (D1 -D2)/35 보다 작은 관계식을 만족하며, 여기서, D1은 도가니 내경을 가리키며, D2는 도가니 두께를 가리키며, 상기 Al4C3 분말 표면에서 분말 받침대 상단면까지 거리를 유도 통로 세로 길이(D6)라고 하면, D6 = D5 x (1
2 2
제1항에 있어서,상기 분말 받침대는 내부에 SiC 분말을 장입하기 위한 중공부를 갖는 원통형상으로 형성되는 P형 탄화규소 단결정 성장장치
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서,상기 개구부는 Al-N2 반응 효율을 보다 높이기 위하여 상기 도가니의 중심부를 중심으로 방사상으로 복수개 형성되는 P형 탄화규소 단결정 성장장치
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제4항에 있어서,상기 개구부의 단면 형상은 N2의 원활한 주입을 위하여 일정한 직경을 갖는 원형으로 형성되는 P형 탄화규소 단결정 성장장치
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서,상기 개구부는 상기 분말 받침대의 상단면 보다 3mm 아래에 위치되는 P형 탄화규소 단결정 성장장치
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제8항에 있어서,상기 개구부의 직경은 1 ~ 2mm인 P형 탄화규소 단결정 성장장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.