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태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막으로서,(Ss - Sv)는 양수이고, (Ses - Sev)는 음수이며,상기 Ss와 Sv는 각각 표면과 조성 구배 분기점에서 황의 조성 값(원자 %)이고,상기 Ses와 Sev는 각각 표면과 조성 구배 분기점에서 셀레늄의 조성 값(원자 %)인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막
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제1항에 있어서, 조성 구배 분기점보다 표면에서 S/(S+Se)의 값이 더 크고,상기 S와 Se는 각각 황과 셀레늄의 원소 조성 값(원자 %)인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막
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제1항에 있어서, 상기 조성 구배 분기점에서 상기 표면까지 S/(S+Se) 값이 증가 추세에 있고,상기 S와 Se는 각각 황과 셀레늄의 원소 조성 값(원자 %)인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막
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제1항에 있어서, 표면에서의 S/(S+Se) 값은 0
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제1항에 있어서, 상기 박막의 밴드갭은 상기 조성 구배 분기점에서 상기 표면까지 증가 추세에 있는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막
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제1항에 있어서, 상기 박막의 밴드갭은 상기 박막 내부의 최저점에 비해 표면에서의 값이 0
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(A) 기판, 상기 기판 위에 위치한 Mo, 상기 Mo 상에 위치한 Cu-Zn-Sn 합금으로 구성된 금속 합금 박막을 S과 Se이 공급되는 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막의 제조방법으로서,상기 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막에서 (Ss - Sv)는 양수이고, (Ses - Sev)는 음수이며,상기 Ss와 Sv는 각각 표면과 조성 구배 분기점에서 황의 조성 값(원자 %)이고,상기 Ses와 Sev는 각각 표면과 조성 구배 분기점에서 셀레늄의 조성 값(원자 %)인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 S은 H2S를 캐리어 기체와 함께 제공함으로써 공급되고, 상기 Se는 Se 파우더를 가열하여 기화시킴으로써 공급되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (A) 단계는 시간이 지날수록 H2S의 공급량은 유지되고 Se의 공급량은 줄어드는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 (A) 단계는 H2S를 캐리어 기체와 함께 지속적으로 공급하는 한편, Se 파우더 가열을 중단하고 Se의 녹는점 이하 온도까지 자연 냉각함으로써 Se의 공급량이 줄어드는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (A) 단계는 S과 Se 및 캐리어 기체의 총 압력 중에 S과 Se의 분압 합이 0
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제11항에 있어서, 상기 (A) 단계는 S과 Se 및 캐리어 기체의 총 압력 중에 S와 Se 각각의 분압의 비율이 0
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막을 포함하는 태양전지
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(A) 셀레늄 증기화 구역, (B) 금속 합금 박막 가열 구역, (C-1) H2S 기체 투입구, (C-2) H2S 기체 배출구를 포함하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막 제조장치로서,상기 H2S 기체 투입구를 통해서 H2S 기체가 캐리어 기체와 함께 투입되어, 상기 셀레늄 증기화 구역에서 기화된 셀레늄 증기와 함께 상기 금속 합금 박막 가열 구역으로 흘러가며,상기 금속 합금 박막 가열 구역에서는 (b-1) 기판, (b-2) 상기 기판 위에 위치한 Mo, (b-3) 상기 Mo 상에 위치한 Cu-Zn-Sn 합금으로 구성된 금속 합금 박막이 열처리되며,상기 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막에서 (Ss - Sv)는 양수이고, (Ses - Sev)는 음수이며,상기 Ss와 Sv는 각각 표면과 조성 구배 분기점에서 황의 조성 값(원자 %)이고,상기 Ses와 Sev는 각각 표면과 조성 구배 분기점에서 셀레늄의 조성 값(원자 %)인 것을 특징으로 하는 태양전지용 Cu2ZnSn(S,Se)4 박막의 제조장치
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