| 1 |
1
엘라스토머 기판 상부에 폴리(퍼플루오로알킬 메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate) 또는 폴리(퍼플루오로알킬 아크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl acrylate)를 포함하는 단일 중합체 또는 공중합체인 과불소 중합체 패턴을 형성하는 단계(단계 1);은 나노 와이어 단독; 또는 은 나노 와이어 및 전도성 고분자, 탄소 나노 플레이트, 금속 입자, 세라믹 입자, 그래핀 및 산화 그래핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 보조 물질의 혼합물;과, 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매;가 혼합된 은 나노 와이어 분산액을 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴이 형성된 엘라스토머 기판 상부에 도포하는 단계(단계 2);상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거하여 은 나노 와이어 패턴을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 형성된 은 나노 와이어 패턴 양 말단에 접촉하는 금속 전극을 형성시키는 단계(단계 4);를 포함하는 스트레인 게이지의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 단계 1의 엘라스토머 기판은 하드-폴리디메틸실록세인(h-PDMS) 몰드 또는 소프트-폴리디메틸실록세인(s-PDMS) 몰드인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은,과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 준비된 용액을 엘라스토머 기판 상부에 도포하여 과불소 중합체 층을 형성하는 단계(단계 b);상기 단계 b에서 형성된 과불소 중합체 층 상부에 패턴된 마스크를 올리고 자외선을 조사하는 단계(단계 c); 및상기 단계 c에서 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하여 패턴을 형성하는 단계(단계 d);를 포함하는 스트레인 게이지의 제조방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 단계 a의 고분자 용액은 플루오르계 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 단계 a의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은 포토리소그래피법인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 단계 1의 과불소 중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법:003c#화학식 1003e#(상기 화학식 1에서,x는 10 내지 10,000이고,y는 10 내지 10,000이다)
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 단계 1에서 형성된 패턴의 두께는 50 nm 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항의 제조방법으로 제조되고,엘라스토머 기판; 상기 엘라스토머 기판 상부에 형성된 은 나노 와이어를 포함하는 은 나노 와이어 패턴; 및상기 은 나노 와이어 패턴 양 말단에 접촉되는 금속 전극;을 포함하는 스트레인 게이지
|
