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베이스 기재; 및상기 베이스 기재의 상부에 형성되는 결정성 입자를 갖는 무기막으로 이루어진 배리어층;을 포함하되,상기 배리어층은 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0
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제 1 항에 있어서,상기 배리어층은 상기 베이스 기재 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름
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제 1 항에 있어서,상기 배리어층은 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlxOy, AlxNy, NiOx, CoOx, MgO 중 어느 하나 이상의 무기막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름
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투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법에 있어서,상기 베이스 기재를 준비하는 단계; 및상기 베이스 기재의 상부에 결정성 입자의 결정면 간 거리가 0
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제 4 항에 있어서,상기 배리어층은 상기 베이스 기재 상에 ICP(Inductively Coupled Plasma) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 단층 또는 다층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 가스 배리어성 필름의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 배리어층은 700와트(W) 이상의 RF파워와 플라즈마 내에서 8
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