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기판 상에 비정질 시드층을 형성하는 단계;상기 비정질 시드층 상에 상기 비정질 시드층의 두께에 대응되는 크기의 결정립을 갖는 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판상에 비정질 시드층을 형성하는 단계는,제1전구체 주입단계 및 산소원료 주입단계를 포함하되,상기 제1전구체 주입단계 및 산소원료 주입단계는 1회 이상 반복되는 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비정질 시드층은,Al2O3, La2O3, Y2O3, ZrO2, HfO2, SnO2, MgO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상으로 구성된 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 산화물층을 형성하는 단계는,상기 비정질 시드층 상에 제2전구체를 주입하는 단계 및 산소원료를 주입하는 단계를 포함하되,상기 제2전구체를 주입하는 단계 및 산소원료를 주입하는 단계는 1회 이상 반복되는 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 (Si), 실리콘 산화물 (SiOx), 실리콘 질화물 (SiNx), 백금 (Pt), 루테늄 (Ru), 이리듐 (Ir), 티타늄 질화물 (TiN) 중 하나 이상을 포함하며, 상기 x는 임의 정수인 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 비정질 시드층의 두께는 1nm 이하이고,상기 산화물층의 두께는 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 금속 산화물층은 하프늄산화물(HfO2), 지르코늄산화물 (ZrO2) 또는 티타늄산화물 (TiO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제조방법은,300℃ 이하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막 제조방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 비정질 시드층; 및상기 비정질 시드층 상에 형성된 금속 산화물층을 포함하되,상기 금속 산화물층은 상기 비정질 시드층의 두께에 대응되는 크기의 결정립을 갖는 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막
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제9항에 있어서,상기 비정질 시드층은,Al2O3, La2O3, Y2O3, ZrO2, HfO2, SnO2, MgO, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상으로 구성된 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막
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제9항에 있어서,상기 기판은 실리콘 (Si), 실리콘 산화물 (SiOx), 실리콘 질화물 (SiNx), 백금 (Pt), 루테늄 (Ru), 이리듐 (Ir), 티타늄 질화물 (TiN) 중 하나 이상을 포함하며, 상기 x는 임의 정수인 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막
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제9항에 있어서,상기 금속 산화물층은 하프늄산화물(HfO2), 지르코늄산화물 (ZrO2) 또는 티타늄산화물 (TiO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 거대 결정을 갖는 금속 산화물 박막
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