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기판;상기 기판 상에 위치한 바텀게이트 전극;상기 바텀게이트 전극을 포함하여 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극을 포함하는 게이트 절연층 전면에 걸쳐 위치한 반도체층;상기 반도체층 상의 전면에 위치하는 이온층; 및상기 이온층 상에 위치한 탑게이트 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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기판;상기 기판 상에 위치한 바텀게이트 전극;상기 바텀게이트 전극을 포함하여 기판 전면에 걸쳐 위치한 이온층;상기 이온층 상에 위치한 반도체층;상기 반도체층의 상층부에 포함되도록 하며, 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 상의 반도체층 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 위치한 탑게이트 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반도체층의 두께(h)는 1~10nm인 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 이온층은 이온겔 또는 이온성 액체를 포함한 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 이온겔은 이온성 액체 및 고분자를 혼합하여 제조되되,상기 고분자는 poly(styrene-b-methylmethacrylate-b-styrene) [PS-PMMA-PS], poly (vinylidene fluoride-hexafluoro propylene), P (VDF-HFP), tetra-arm poly (ethylene glycol) (Tetra-PEG), PVDF-TrFE 중 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제5항에 있어서,상기 이온성 액체 및 고분자의 혼합비율은 0
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제4항에 있어서,상기 이온성 액체는 [EMI][TFSA]), [EMIM][TFSI], [BMIM][PF6], 및 [EMIM][OctSO4]로 이루어진 군에서 1이상 선택되는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 게이트 절연층은 유기 고분자로 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene)으로 이루어진 군에서 1이상 선택하거나,산화물로 SiO2, Al2O3, HfO2, ZrO2, Y2O3 및 Ta2O5로 이루어진 군에서 1이상 선택하는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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제1항 또는 제2항에 있어서,전압 인가시 상기 이온층으로 인해 반도체층에 높은 전하를 형성하고, 확산에 의해 채널내에서 높은 전하량이 이동하여 소스/드레인 전극 상에서 구동속도가 향상되는 것을 특징으로 하는 듀얼게이트 박막트랜지스터
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