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수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리 및 그 제조방법(Proton-based resistive switching memory and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016017248
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층의 적어도 일부에 수소 처리를 통해서 금속에서 절연체로 전이(Metal-Insulator Transition)할 수 있는 특성을 갖도록 수소화(hydrogenation) 처리하는 단계;를 포함하는, 수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 구현한 수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리를 제공한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 27/24 (2006.01)
CPC H01L 27/24(2013.01) H01L 27/24(2013.01) H01L 27/24(2013.01)
출원번호/일자 1020150040235 (2015.03.23)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0113904 (2016.10.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손준우 대한민국 대구광역시 중구
2 오차돌 대한민국 서울특별시 동작구
3 허승양 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0283243-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0064289-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0404381-36
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0746783-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0746784-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0940493-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 상에, 페로브스카이트(perovskite) 구조를 가지는 저항변화층을 형성하는 단계;상기 저항변화층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 저항변화층의 적어도 일부에 수소 처리를 통해서 금속에서 절연체로 전이(Metal-Insulator Transition)할 수 있는 특성을 갖도록 수소화(hydrogenation) 처리하는 단계;를 포함하고,상기 수소화 처리하는 단계는 상기 저항변화층의 적어도 일부가 절연체 성질을 갖도록, 상기 저항변화층 상에 형성되는 상기 제 2 전극층을 촉매로 이용함으로써 상기 저항변화층의 적어도 일부에 수소 이온(H+)을 도핑하는 단계인,수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
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삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 수소화는 아르곤(Ar) 성분 및 수소(H) 성분을 구비하는 혼합가스(forming gas)를 이용하여 상기 저항변화층의 적어도 일부에 상기 수소 이온(H+)을 첨가함으로써 구현된, 수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극층은 백금(Pt) 촉매를 포함하고,상기 수소화는 백금(Pt) 촉매를 이용함으로써 상기 저항변화층과 상기 촉매가 서로 맞닿는 부근에 상기 수소 이온을 도핑하는,수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 수소화는 80℃ 내지 120℃의 온도 범위에서 상기 촉매를 이용하여 어닐링(annealing)함으로써 구현된,수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 저항변화층은 희토류니켈산화물(ReNiO3)을 포함하고,상기 수소화에 의해 상기 희토류니켈산화물의 적어도 일부에 상기 수소 이온이 도핑됨으로써 절연체 성질을 가지는,수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리의 제조방법
9 9
제 1 전극층;상기 제 1 전극층 상에 형성된 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 형성된 제 2 전극층;을 포함하고,상기 저항변화층은 금속 성질의 제 1 희토류니켈산화물층(ReNiO3)과 상기 제 2 전극층을 촉매로 이용하여 상기 제 1 희토류니켈산화물층 상에 수소 이온(H+)이 도핑됨으로써 절연체 성질을 갖는 제 2 희토류니켈산화물층(H-ReNiO3)을 포함하며,상기 제 2 전극층에 전압을 인가하여 상기 제 2 희토류니켈산화물층 내의 상기 수소 이온이 상기 제 1 희토류니켈산화물층으로 확산됨으로써 상기 저항변화층이 저항변화 거동을 할 수 있는,수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리
10 10
저항변화층;상기 저항변화층 상에 형성된 제 1 전극층; 및상기 저항변화층 상에 형성되며, 상기 제 1 전극층과 서로 이격되어 배치된 제 2 전극층;을 포함하고,상기 저항변화층은 제 1 희토류니켈산화물층(ReNiO3)과 상기 제 2 전극층을 촉매로 이용하여 상기 제 1 희토류니켈산화물층과 상기 제 2 전극층이 서로 맞닿는 부근에 수소 이온(H+)이 도핑됨으로써 절연체 성질을 갖는 제 2 희토류니켈산화물층(H-ReNiO3)을 포함하며,상기 제 2 전극층에 전압을 인가하여 상기 제 2 희토류니켈산화물층 내의 상기 수소 이온이 상기 제 1 희토류니켈산화물층으로 확산됨으로써 상기 저항변화층이 저항변화 거동을 할 수 있는,수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리
11 11
제 10 항에 있어서,상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층은 동일한 레벨(level)에 배치된,수소 이온 확산을 이용한 저항변화메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (사)국가나노인프라협의체 나노·소재기술개발사업 나노팹시설활용지원사업
2 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 차세대 메모리용 RRAM 기술