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내오염성이 현저하게 향상된 수처리용 분리막 및 그 제조방법(membrane for water treatment with highly efficient antifouling capacity and the method for fabrication thereof)

  • 기술번호 : KST2016017500
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분리막의 내오염성, 항균성, 수투과성 및 내구성을 향상시키는 분리막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 분리막의 활성층에 아크 플라즈마 방전으로 금속 또는 금속산화물 나노입자를 증착시킴으로써 물속에서 장시간 작동해도 박테리아 등에 의해 표면이 오염되는 것을 획기적으로 방지하는 분리막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 분리막의 활성층에 아크 플라즈마 방전을 이용하여 금속 또는 금속산화물 나노입자를 증착시킨 것을 특징으로 하는 분리막 및 그 제조 방법을 제공한다.본 발명의 분리막에 의하면, 분리막에 증착된 금속 또는 금속산화물 입자들의 살균작용으로 물속에 들어있는 막표면에서 박테리아가 증식할 수 없고, 이로 인한 막오염을 억제할 수 있어, 분리막의 수명을 늘리고 교체주기를 연장시킬 수 있다.
Int. CL B01D 61/02 (2006.01) B01D 61/14 (2006.01) B01D 63/08 (2006.01) B01D 65/08 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) B01D 63/02 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01)
CPC B01D 67/0037(2013.01) B01D 67/0037(2013.01) B01D 67/0037(2013.01) B01D 67/0037(2013.01) B01D 67/0037(2013.01) B01D 67/0037(2013.01) B01D 67/0037(2013.01)
출원번호/일자 1020150041344 (2015.03.25)
출원인 한국과학기술연구원, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0116083 (2016.10.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상훈 대한민국 서울특별시 성북구
2 이종석 대한민국 서울특별시 성북구
3 이정현 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0291226-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0003157-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0704830-94
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1174811-71
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1291613-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1291612-58
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0376155-67
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2017.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0626165-19
10 법정기간연장승인서
 2017.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0089469-80
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.07.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0738063-10
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0738062-64
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0585032-07
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
분리막의 활성층에 아크 플라즈마 증착 방법을 이용하여 금속 또는 금속산화물 나노입자를 증착시키고, 상기 금속 또는 금속 산화물 나노입자의 운동에너지는 10 내지 200 eV 인 것을 특징으로 하는 분리막 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 분리막은 정밀여과막, 한외여과막, 나노여과막, 역삼투막으로 이루어진 군 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 분리막 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속 또는 금속 산화물 나노입자는 은, 구리, 티타늄, 아연 및 이들의 산화물로 이루어진 군 중에서 하나 이상을 선택하는 것을 특징으로 하는 분리막 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 분리막은 판형 또는 중공사막 형태인 것을 특징으로 하는 분리막 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 분리막의 활성층에 플라즈마 증착 방법으로 실리카 및 이들의 산화물로 이루어진 군중에서 하나 이상을 선택하여 더욱 증착시키는 것을 특징으로 하는 분리막 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 증착 방법은 전압 50 내지 300 V, 축전지 용량 300 내지 2000 μF, 및 트리거 펄스 수 n=20~60 인 것을 특징으로 하는 분리막 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.