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탄소 박막 소자 및 이의 제조 방법(CARBON THIN-FILM DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016018020
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소 박막 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소 박막 소자 제조 방법은 기판 상에 기능기를 형성하는 단계 및 원자층 증착법에 의해 상기 기능기가 형성된 기판 상에 탄소 박막을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC C23C 16/02(2013.01)C23C 16/02(2013.01)C23C 16/02(2013.01)
출원번호/일자 1020150048290 (2015.04.06)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0119903 (2016.10.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.06)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 최태진 대한민국 경기도 고양시 일산동구
3 송정규 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0334022-15
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0901260-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0069096-86
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0559770-84
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0947434-57
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0947435-03
8 등록결정서
Decision to grant
2017.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0059741-11
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번호 청구항
1 1
기판의 표면에 기능기를 형성하여 상기 기판을 기능화하는 단계; 및원자층 증착법에 의해, 상기 기능기가 형성된 기판 상에 탄소 박막을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 탄소 박막의 기저층의 탄소 원자는 상기 기능기의 원자와 공유 결합되는 탄소 박막 소자 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 기능기는 산소 기능기, 히드록시기(hydroxyl group) 및 아미노기(amino group) 중 적어도 하나를 포함하는 탄소 박막 소자 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 기판을 기능화하는 단계는,황산과 과산화수소수를 혼합한 용액을 상기 기판 상에 공급하여 상기 기판 상에 히드록시기를 형성하는 탄소 박막 소자 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 기판을 기능화하는 단계는,상기 기판에 대해 산소 플라즈마 처리를 행하여 상기 기판 상에 산소 기능기를 형성하는 단계를 포함하는 탄소 박막 소자 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 기판을 기능화하는 단계는,상기 기판 상에 상기 기능기를 포함하는 흡착층을 형성하는 단계를 포함하는 탄소 박막 소자 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 흡착층은 단일의 원자층 또는 분자층으로 이루어진 탄소 박막 소자 제조 방법
7 7
제5 항에 있어서,상기 기판을 기능화하는 단계는,상기 흡착층의 산소 원자 또는 질소 원자가 상기 기판의 원자와 공유결합되도록 상기 기판 상에 상기 기능기를 형성하는 단계를 포함하는 탄소 박막 소자 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제1 항에 있어서,상기 기판 상에 탄소 박막을 증착하는 단계는,상기 기판 상에 탄소 전구체로서 할로겐화탄소를 공급하는 단계;상기 기판 상에 퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 단계;상기 기판 상에 반응 가스를 공급하는 단계; 및상기 기판 상에 퍼지 가스를 공급하여 퍼징하는 단계;를 포함하는 단위 사이클을 기 결정된 횟수만큼 반복하고,첫 번째 단위 사이클에서의 상기 할로겐화탄소의 공급 시간을 두 번째 이후의 단위 사이클에서의 상기 할로겐화탄소의 공급 시간보다 길게 하는 탄소 박막 소자 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 반응 가스는 할로겐화탄소의 할로겐 원소에 대하여 탄소보다 큰 결합에너지를 갖는 것인 탄소 박막 소자 제조 방법
11 11
제9 항에 있어서,상기 할로겐화탄소는 사브롬화탄소(CBr4)이고,상기 반응 가스는 수소 가스 또는 수소 플라즈마인 탄소 박막 소자 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 사브롬화탄소(CBr4)는 0
13 13
기판의 표면에 기능기를 형성하여 상기 기판을 기능화하는 단계;상기 기능기가 형성된 기판 상에 할로겐화탄소를 선공급하는 단계; 및원자층 증착법에 의해, 상기 기능기가 형성된 기판 상에 탄소 박막을 증착하는 단계;를 포함하는 탄소 박막 소자 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 할로겐화탄소는 사브롬화탄소(CBr4)인 탄소 박막 소자 제조 방법
15 15
제13 항에 있어서,상기 할로겐화탄소를 선공급하는 단계는,상기 기능기가 형성된 기판 상에 상기 할로겐화탄소를 30초 내지 5분 동안 공급하는 탄소 박막 소자 제조 방법
16 16
제1 항에 있어서,상기 탄소 박막의 증착 온도는 200℃ 내지 450℃인 탄소 박막 소자 제조 방법
17 17
기판;상기 기판 상의 흡착층; 및상기 흡착층 상의 탄소층;을 포함하고,상기 흡착층은 산소 원자 및 질소 원자 중 적어도 하나를 포함하는 기능기를 포함하고,상기 흡착층의 산소 원자 또는 질소 원자는 상기 탄소층의 기저층의 탄소 원자와 공유 결합하는 탄소 박막 소자
18 18
제17 항에 있어서,상기 흡착층은 산소 원자 또는 질소 원자의 단일 원자층으로 이루어진 탄소 박막 소자
19 19
삭제
20 20
제17 항에 있어서,상기 흡착층의 산소 원자 또는 질소 원자는 상기 기판의 표면층의 원자와 공유 결합하는 탄소 박막 소자
21 21
제17 항에 있어서,상기 기판은 적어도 하나 이상의 나노홀을 포함하고,상기 탄소층은 상기 나노홀을 갖는 기판 상에 형성된 탄소 박막 소자
22 22
제17 항에 있어서,상기 흡착층의 두께는 0
23 23
나노선;상기 나노선을 감싸도록 증착된 탄소층; 및상기 나노선과 상기 탄소층 사이의 흡착층을 포함하고,상기 흡착층은 산소 원자 및 질소 원자 중의 적어도 하나를 포함하는 기능기를 포함하고,상기 흡착층의 산소 원자 또는 질소 원자는 상기 탄소층의 기저층의 탄소 원자 및 상기 나노선의 표면층의 원자와 공유 결합하는 탄소 나노선
24 24
제23 항에 있어서,상기 흡착층은 산소 원자 또는 질소 원자의 단일 원자층으로 이루어진 탄소 나노선
25 25
제23 항에 있어서,상기 흡착층의 두께는 0
26 26
삭제
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1 US10309009 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016289825 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발
2 산업통상자원부 연세대학교 산학협력단 소재부품기술개발(핵심소재원천1단계)사업 차세대 전자소자용 대면적 (8“이상) 칼코지나이드계 2차원 소재 성장 및 평가기술
3 미래창조과학부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 백금 대체용 수소 발생 촉매를 위한 대면적/고전도성 전이금속 디칼코게나이드 합성 연구(1/3,1단계)(2014.11.1~2017.10.31)