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실리콘 밀리미터파 칩용 칩상 도파관 급전기 및 급전 방법 및, 이를 이용한 다중 입출력 밀리미터파 송수신 장치(ON-CHIP WAVEGUIDE FEEDER FOR SILICON MILLIMITER WAVE ICS AND FEEDING METHOD USING SAID FEEDER, AND MULTIPLE INPUT AND OUTPUT MILLIMETER WAVE TRANSCEIVERS USING SAID FEEDER)

  • 기술번호 : KST2016018242
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도파관 급전기를 개시하고 있다. 상기 도파관 급전기는 실리콘 기판, 도파관 개구면에 위치하여 전기적 신호를 입력받는 프로브, 도파관 플랜지(waveguide flange) 면으로 프로브의 접지 통로를 형성하기 위해 도파관 플랜지의 접합면에 위치하는 개방 스터브를 포함하되, 상기 프로브 및 상기 개방 스터브는 상기 실리콘 기판 상에 구성된다.
Int. CL H01Q 13/02 (2006.01) H01Q 21/00 (2015.01) H01Q 19/19 (2006.01)
CPC H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01) H01Q 1/243(2013.01)
출원번호/일자 1020150051923 (2015.04.13)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1689353-0000 (2016.12.19)
공개번호/일자 10-2016-0121980 (2016.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20161223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.13)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병성 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 최성림 중국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0358952-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0095256-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0815773-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0081340-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0081328-47
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0303557-37
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0458491-59
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0817636-13
10 등록결정서
Decision to grant
2016.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0828751-59
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판;도파관 개구면에 위치하여 전기적 신호를 입력받는 프로브;도파관 플랜지(waveguide flange) 면으로 프로브의 접지 통로를 형성하기 위해 도파관 플랜지의 접합면에 정렬되는 실리콘 기판상의 접지면에 구성된 개방 스터브를 포함하되,상기 프로브 및 상기 개방 스터브는 상기 실리콘 기판 상에 구성되는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 개방 스터브는 나비형의 형태를 갖고, 상기 개방 스터브의 윗면 날은 상기 도파관 개구면과 정렬되도록 위치하는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 개방 스터브는 실리콘 배선 중 최하층 도전층에 형성되어 상기 실리콘 기판에 비아로 연결되는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
4 4
제 1 항에 있어서,상기 개방 스터브는 L2의 길이를 가지며, 상기 길이 L2는 상기 개방 스터브 중앙의 구동점에서 상기 개방 스터브 종단을 볼 때, 칩 하면의 도파관 플랜지 면과 단락 회로를 구성하도록 조정된 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
5 5
제 1 항에 있어서,상기 프로브는 상기 개방 스터브와 전기적으로 절연되는 상위 배선층에 위치하는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 프로브는 하면에 마주한 상기 개방 스터브와 소정 길이를 나란히 달려 슬롯 라인 모드를 형성하는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
7 7
제 6 항에 있어서,상기 프로브는 종단에서 U자형으로 2개의 폴을 갖는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
8 8
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 기판은 좌우로는 상기 도파관 개구면 중앙에 위치하며, 상하로는 상기 개방 스터브 윗날면과 상기 도파관 개구면의 하단면에 정렬된 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 도파관 개구면에서 거리 D 만큼 떨어진 지점에 금속 반사체를 설치하되, 상기 거리 D는 동작 주파수에 맞춰 조정되는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기
10 10
도파관 개구면에 위치한 프로브를 이용하여 전기적 신호를 입력받는 단계; 및도파관 플랜지의 접합면에 정렬되는 실리콘 기판상의 접지면에 구성된 개방 스터브를 통해, 도파관 플랜지(waveguide flange) 면으로 프로브의 접지 통로를 형성하는 단계를 포함하되,상기 프로브 및 상기 개방 스터브는 실리콘 기판 상에 구성되는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기의 급전 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 개방 스터브는 나비형의 형태를 갖고, 상기 개방 스터브의 윗면 날은 상기 도파관 개구면과 정렬되도록 위치하는 것을 특징으로 하는 도파관 급전기의 급전 방법
12 12
밀리미터파 신호를 도파관으로 전달하는 칩 형태의 도파관 급전기;상기 도파관 급전기와 연결되어 신호를 증폭하는 전력 증폭기; 및기준 신호를 입력받아 상기 밀리미터파 신호를 공급하는 주파수 체배기를 포함하되, 상기 도파관 급전기는,실리콘 기판;도파관 개구면에 위치하여 전기적 신호를 입력받는 프로브; 및도파관 플랜지(waveguide flange) 면으로 프로브의 접지 통로를 형성하기 위해 도파관 플랜지의 접합면에 정렬되는 실리콘 기판상의 접지면에 구성된 개방 스터브를 포함하고, 상기 프로브 및 상기 개방 스터브는 상기 실리콘 기판 상에 구성되는 것을 특징으로 하는 칩상 도파관 급전기를 내장한 송신기 모듈
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 개방 스터브는 나비형의 형태를 갖고, 상기 개방 스터브의 윗면 날은 상기 도파관 개구면과 정렬되도록 위치하는 것을 특징으로 하는 칩상 도파관 급전기를 내장한 송신기 모듈
14 14
밀리미터파 신호를 수신하는 칩 형태의 도파관 급전기;상기 도파관 급전기와 연결되어 상기 수신된 신호를 저잡음 증폭하는 저잡음 증폭기;상기 저잡음 증폭된 신호를 소정 대역으로 변환하는 주파수 혼합기; 및상기 주파수 혼합기의 국부 발진신호를 전달하는 주파수 체배기를 포함하되, 상기 도파관 급전기는,실리콘 기판;도파관 개구면에 위치하여 전기적 신호를 입력받는 프로브; 및도파관 플랜지(waveguide flange) 면으로 프로브의 접지 통로를 형성하기 위해 도파관 플랜지의 접합면에 정렬되는 실리콘 기판상의 접지면에 구성된 개방 스터브를 포함하고, 상기 프로브 및 상기 개방 스터브는 상기 실리콘 기판 상에 구성되는 것을 특징으로 하는 칩상 도파관 급전기를 내장한 수신기 모듈
15 15
제 14 항에 있어서,상기 개방 스터브는 나비형의 형태를 갖고, 상기 개방 스터브의 윗면 날은 상기 도파관 개구면과 정렬되도록 위치하는 것을 특징으로 하는 칩상 도파관 급전기를 내장한 수신기 모듈
16 16
금속면에 개구면을 형성하여 개구면 안테나로 동작하는 복수 개의 도파관; 및실리콘 기판, 상기 복수 개의 도파관의 개구면에 위치하여 전기적 신호를 입력받는 프로브 및 상기 복수 개의 도파관의 도파관 플랜지(waveguide flange) 면으로 상기 프로브의 접지 통로를 형성하기 위해 상기 도파관 플랜지의 접합면에 정렬되는 실리콘 기판상의 접지면에 구성된 개방 스터브를 포함하며, 상기 프로브 및 상기 개방 스터브는 상기 실리콘 기판 상에 구성된 도파관 급전기 구조를 갖는 복수 개의 송수신 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 다차원 배열 송수신기
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09608313 US 미국 FAMILY
2 US20160301125 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016301125 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9608313 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 중견연구자지원 칩상 안테나를 이용한 채널 확장형 CMOS 밀리미터파 다중 입출력 시스템 연구