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이중층 구조를 가지는 저항변화메모리 및 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법(Resistive switching memory with double layered structure and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016018476
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층 상에 원자층증착방법(ALD)을 이용하여 하프늄산화물층(HfOx)을 형성하는 단계; 상기 하프늄산화물층(HfOx) 상에 상기 원자층증착방법을 이용하여 알루미늄산화물층(AlOy)을 형성하는 단계; 및 상기 하프늄산화물층(HfOx) 및/또는 상기 알루미늄산화물층(AlOy)에 산소공공(oxygen vacancy)을 유발할 수 있도록, 상기 알루미늄산화물층(AlOy) 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는, 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 구현한 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리를 제공한다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 27/24 (2006.01)
CPC H01L 27/24(2013.01) H01L 27/24(2013.01) H01L 27/24(2013.01)
출원번호/일자 1020150054417 (2015.04.17)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0123793 (2016.10.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이장식 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0376291-42
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0574642-45
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0979999-14
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0979998-79
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0778376-23
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 상에 원자층증착방법(ALD)을 이용하여 하프늄산화물층(HfOx)을 형성하는 단계;상기 하프늄산화물층(HfOx) 상에 상기 원자층증착방법을 이용하여 알루미늄산화물층(AlOy)형성하는 단계; 및상기 하프늄산화물층(HfOx) 및/또는 상기 알루미늄산화물층(AlOy)에 산소공공(oxygen vacancy)을 유발할 수 있도록, 상기 알루미늄산화물층(AlOy) 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는,이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극층 상에 원자층증착방법을 이용하여 상기 하프늄산화물층(HfOx)을 형성하는 단계;는,챔버 내에 TEMAHf(tetrakis(ethylmethylamino)hafnium) 전구체(precursor)를 공급함으로써 상기 하프늄산화물층(HfOx)을 형성하는 단계;를 포함하는, 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 하프늄산화물층(HfOx) 상에 상기 원자층증착방법을 이용하여 알루미늄산화물층(AlOy)을 형성하는 단계;는,챔버 내에 TMA(trimethylaluminum) 전구체(precursor)를 공급함으로써 상기 알루미늄산화물층(AlOy)을 형성하는 단계;를 포함하는, 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극층은 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 티타늄(Ti) 및 탄탈럼(Ta) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하프늄산화물층(HfOx)과 상기 알루미늄산화물층(AlOy)은 상기 챔버 내에 산화제(oxidizer)로 물(H2O)과 퍼지가스(purging gas)로 아르곤(Ar)을 사용함으로써 형성된 것인, 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법
6 6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하프늄산화물층(HfOx)과 상기 알루미늄산화물층(AlOy)은 동일한 챔버에서 인-시튜(in-situ) 공정으로 형성되는, 이중층 구조를 가지는 저항변화메모리의 제조방법
7 7
기판 상에 형성된 제 1 전극층;상기 제 1 전극층 상에 원자층증착방법(ALD)을 이용하여 형성된 하프늄산화물층(HfOx);상기 하프늄산화물층(HfOx) 상에 상기 원자층증착방법을 이용하여 형성된 알루미늄산화물층(AlOy); 및상기 하프늄산화물층(HfOx) 및/또는 상기 알루미늄산화물층(AlOy)으로 산소공공(oxygen vacancy)을 유발할 수 있도록, 상기 알루미늄산화물층(AlOy) 상에 형성된 제 2 전극층;을 포함하는,이중층 구조를 가지는 저항변화메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구_도전) 테라비트급 유연성 정보저장소자 개발
2 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 차세대 메모리용 RRAM 기술