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1
한 쌍의 전극 사이에 양이온을 포함하는 고체 전해질로 이뤄진 저항변화 물질층이 구비된 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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기판 상에 형성된 제1전극; 양이온을 포함하는 고체 전해질로 이뤄져 상기 제1전극 상에 형성된 저항변화 물질층; 및 상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2전극;을 포함하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 양이온은 1가 금속 양이온 또는 2가 금속 양이온인 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 양이온은 Li, Na, Mg, Cu, Ag 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이뤄진 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 하기의 [화학식 1]로 표시되는 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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6
제5항에 있어서, 상기 [화학식 1]의 X는 I, Cl, Br 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 하기의 [화학식 2]로 표시되는 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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8
제7항에 있어서, 상기 [화학식 2]의 X는 I, Cl, Br 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저항변화 물질층의 두께는 10nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 양이온이 도핑된 페로브스카이트(perovskite) 구조로 이뤄진 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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11
제2항에 있어서, 상기 제1전극와 제2전극의 사이에는 복수의 개구부를 갖는 산화규소층이 형성되며, 상기 저항변화 물질층은 상기 산화규소층의 개구부에 형성된 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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12
제2항에 있어서, 상기 제2전극은 상기 저항변화 물질층에 포함된 양이온과 같은 금속 또는 상기 저항변화 물질층 내에서 전도성을 갖는 금속으로 이뤄진 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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13
제2항에 있어서, 제1전극은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 금(Au), 루테늄(Ru), 이리듐 산화물(IrO2), 루테늄 산화물(RuO2), 티타늄 산화물(TiN) 및 탄탈륨 질화물(TaN)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 단층 또는 복수층으로 이뤄진 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리
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14
기판 상에 제1전극을 형성하는 제1전극 형성단계; 상기 제1전극 상에 양이온을 포함하는 고체 전해질로 이뤄진 저항변화 물질층을 형성하는 저항변화 물질층 형성단계; 및 상기 저항변화 물질층 상에 제2전극을 형성하는 제2전극 형성단계;를 포함하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리의 제조방법
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15
제14항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 하기의 [화학식 1]로 표시되는 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리의 제조방법
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16
제15항에 있어서, 상기 [화학식 1]의 X는 I, Cl, Br 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 저항변화 물질층은 하기의 [화학식 2]로 표시되는 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리의 제조방법
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18
제17항에 있어서, 상기 [화학식 2]의 X는 I, Cl, Br 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 저항변화 물질층 형성단계 이전에, 상기 제1전극 상에 복수의 개구부를 갖는 산화규소층을 형성하는 산화규소층 형성단계;를 더 포함하여 구성되며, 상기 저항변화 물질층은 상기 복수의 개구부에 형성하는 것을 특징으로 하는 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리의 제조방법
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