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순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법(Silicon carbide shottky diode forward chracteristic is improved and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016019020
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법에 있어서, 에피층의 상부에 쇼트키금속층-확산장벽금속층-패드금속층이 적층된 금속층을 형성하는 단계와; 상기 금속층을 에칭하는 단계와; 에칭된 상기 금속층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 패드금속층과 쇼트키금속층 사이에 확산장벽금속층을 형성하여 열처리시 쇼트키금속층이 패드금속층 내로 침투하는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 또한 고온 열처리를 통해 계면저항을 감소시키며 쇼트키 접합특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020150060840 (2015.04.29)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0128831 (2016.11.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
2 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 문정현 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 석오균 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0420255-86
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0317917-71
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법에 있어서,에피층의 상부에 쇼트키금속층-확산장벽금속층-패드금속층이 적층된 금속층을 형성하는 단계와;상기 금속층을 에칭하는 단계와;에칭된 상기 금속층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 확산장벽금속층은 녹는점이 1000℃ 이상인 금속소재 또는 전도성 세라믹소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 금속소재는 텅스텐(W), 니크롬(NiCr), 탄탈럼(Ta), 하프늄(Hf), 바나듐(V) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 전도성 세라믹소재는 질화탄탈(TaN), 질화티탄(TiN), 티타늄텅스텐(TiW) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 400 내지 600℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이전 또는 이후에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 제조방법
7 7
쇼트키금속층-패드금속층이 포함된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드에 있어서,상기 쇼트키금속층 및 상기 패드금속층 사이에 확산장벽금속층이 형성된 것을 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
8 8
제 7항에 있어서,상기 확산장벽금속층은 녹는점이 1000℃ 이상인 금속소재 또는 전도성 세라믹소재인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전기연구원 산업핵심기술개발사업(에너지 산업 분야) 고효율 전동기 제어를 위한 저손실 파워모듈개발