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원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법(Forming method of oxide layer on the surface of metal of cylinder shape or prism shape)

  • 기술번호 : KST2016019353
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 외부 표면을 갖는 금속 재질의 양극; 및 와이어 형태인 것을 특징으로 하는 금속 재질의 음극;을 포함하고, 상기 음극은 2 개 이상이고, 상기 양극 외부 표면에 대하여 소정의 간격으로 이격되며, 각각이 상기 양극 외주면을 따라 소정의 간격으로 위치하는 것을 특징으로 하는 전기화학 셀, 전해질 용액 및 전압 인가 장치를 포함하는 전기화학 시스템을 준비하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 준비된 전기화학 시스템에 전압을 인가하여 양극산화 반응을 수행하는 단계(단계 2);를 포함하는 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법은 종래 원기둥 형태의 백금 음극을 사용하여 양극산화를 진행하는 대신에 와이어 형태의 음극을 이용하여 양극산화를 진행함으로써, 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 외부 표면에 균일한 두께를 갖는 나노 구조 산화막을 매우 저렴하게 제조할 수 있다.
Int. CL C25D 11/02 (2006.01) C25D 17/10 (2006.01) C25D 11/26 (2006.01) C25D 11/06 (2006.01) C25D 17/02 (2006.01) C25D 21/00 (2006.01) C25D 11/34 (2006.01) C25D 17/12 (2006.01) C25D 11/04 (2006.01) C25D 21/12 (2006.01)
CPC C25D 11/06(2013.01) C25D 11/06(2013.01) C25D 11/06(2013.01) C25D 11/06(2013.01) C25D 11/06(2013.01) C25D 11/06(2013.01) C25D 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020150107309 (2015.07.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0132315 (2016.11.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150063145   |   2015.05.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성오 대한민국 대전광역시 유성구
2 박양정 대한민국 대전광역시 유성구
3 유성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0738376-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0021686-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0361860-52
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0697527-52
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0802087-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0802086-50
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0926494-96
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0049812-28
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0049773-35
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0110114-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원기둥 형태 또는 각기둥 형태인 금속 재질의 복수개의 양극; 및와이어 형태이며, 상기 양극의 길이 방향에 대하여 길이 방향으로 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 재질의 복수개의 음극;을 포함하고,상기 음극은 상기 복수개의 양극 사이 또는 주위에 배치되며, 상기 양극 외부 표면에 대하여 소정의 간격으로 이격하되, 상기 복수개의 양극 및 음극 각각의 배치는 양극 외주면에 오차범위 ± 1 ㎛의 산화막이 형성되도록 하는 일정한 전기장을 형성하는 배치인 것을 특징으로 하는 전기화학 셀, 전해질 용액 및 전압 인가 장치를 포함하는 전기화학 시스템을 준비하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 준비된 전기화학 시스템에 전압을 인가하여 양극산화 반응을 수행하는 단계(단계 2);를 포함하는 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 단계 1의 양극은 최소 두개 이상이고, 각각의 양극 하나에 대하여 음극은 4 개의 비율로 배치되는 것을 특징으로 하는 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 1의 금속 재질의 음극은 백금 재질인 것을 특징으로 하는 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 단계 1의 음극의 직경은 0
6 6
제1항에 있어서,상기 단계 1의 금속 복수개의 양극은 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W) 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 금속 재질인 것을 특징으로 하는 원기둥 형태 또는 각기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 단계 1의 양극의 직경은 0
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 산화막은 나노 기공 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 관 또는 원기둥 형태의 금속 표면에 산화막을 형성하는 방법
10 10
원기둥 형태 또는 각기둥 형태인 금속 재질의 복수개의 양극; 및와이어 형태이며, 상기 양극의 길이 방향에 대하여 길이 방향으로 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 재질의 복수개의 음극;을 포함하고,상기 음극은 상기 복수개의 양극 사이 또는 주위에 배치되며, 상기 양극 외부 표면에 대하여 소정의 간격으로 이격하되, 상기 복수개의 양극 및 음극 각각의 배치는 양극 외주면에 오차범위 ± 1 ㎛의 산화막이 형성되도록 하는 일정한 전기장을 형성하는 배치인 것을 특징으로 하는 전기화학 셀;상기 전기화학 셀이 담지되는 전해질 용액; 및 상기 양극 및 음극에 전압을 인가하기 위한 전압 인가 장치;를 포함하는 전기화학 시스템
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 원자력원천기술 나노구조 지르코늄 산화막을 이용한 핵연료봉 피복관의 수소발생 방지 기술개발