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입사된 레이저 빔에 의해 하전 입자들을 발생시키는 타깃을 갖는 타깃부; 및상기 타깃을 통해 발생된 상기 하전 입자들 중 양성자들만을 투과시키는 필터부를 포함하는 하전입자 발생용 타깃
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제 1 항에 있어서,상기 필터부는 그래핀을 포함하는 하전입자 발생용 타깃
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제 2 항에 있어서,상기 필터부는, 상기 타깃에서 발생된 상기 하전 입자들의 진행 방향에 대해 상기 타깃부의 후방에 배치되는 하전입자 발생용 타깃
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제 3 항에 있어서,상기 그래핀의 두께는 20 나노미터(nm) 내지 2000 나노미터(nm)인 하전입자 발생용 타깃
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제 4 항에 있어서,상기 필터부는, 상기 그래핀의 표면에 나노 입자로 코팅된 코팅막을 더 포함하는 하전입자 발생용 타깃
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제 5 항에 있어서,상기 하전 입자들은 이온들 및 양성자들을 포함하고, 상기 타깃은 수소를 포함하는 물질인 하전입자 발생용 타깃
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제 6 항에 있어서,상기 필터부는 상기 진행 방향을 따라 복수 개 배치된 하전입자 발생용 타깃
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제 6 항에 있어서,상기 하전입자 발생용 타깃은,상기 타깃부 및 상기 필터부와 결합되고, 상기 타깃부로부터의 상기 필터부의 거리를 조절하는 조절부를 더 포함하는 하전입자 발생용 타깃
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제 6 항에 있어서,상기 타깃은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 플라스틱, 또는 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 하전입자 발생용 타깃
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레이저; 및상기 레이저로부터 입사된 빔에 의해 하전입자들을 발생시키는 하전입자 발생용 타깃을 포함하고,상기 하전입자 발생용 타깃은: 상기 레이저 빔에 의해 상기 하전 입자들을 발생시키는 타깃을 갖는 타깃부; 및상기 타깃을 통해 발생된 상기 하전 입자들 중 양성자들만을 투과시키는 필터부를 포함하는 하전입자 발생 장치
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제 10 항에 있어서,상기 필터부는 그래핀을 포함하는 하전입자 발생 장치
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제 11 항에 있어서,상기 필터부는, 상기 타깃에서 발생된 상기 하전 입자들의 진행 방향에 대해 상기 타깃부의 후방에 배치되는 하전입자 발생 장치
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제 12 항에 있어서,상기 그래핀의 두께는 10 마이크론(micron) 내지 50 마이크론(micron)인 하전입자 발생 장치
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제 13 항에 있어서,상기 필터부는, 상기 그래핀의 표면에 나노 입자로 코팅된 코팅막을 더 포함하는 하전입자 발생 장치
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